09120130796
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در محل تحویل پرداخت نمایید.
اصالت و سلامت فیزیکی کلیه محصولات توسط کارشناسان ما بررسی و تایید میشود.
BSM25GP120 یک ماژول IGBT اینفینئون از نوع Power Integrated Module (PIM) است که سه بخش کامل قدرت را در یک پکیج فشرده ترکیب میکند: دیود رکتیفایر ورودی با VRRM = 1600V، بریج اینورتر IGBT 1200 ولت 25 آمپر با دیود فریویل، و ترانزیستور Brake-Chopper داخلی برای ترمزگیری احیایی.
این ماژول IGBT با ایزولاسیون Al₂O₃ داخلی (2.5 kV) و سنسور NTC یکپارچه، برای طراحی درایوهای AC کمپکت، UPS صنعتی و کانورترهای خورشیدی ایدهآل است. اگر به دنبال خرید BSM25GP120 اصل و با قیمت مناسب هستید، توکل الکترونیک این قطعه را مستقیم از کانال رسمی Infineon تأمین میکند.
| پارامتر | نماد | مقدار | شرط |
|---|---|---|---|
| اینورتر IGBT | |||
| ولتاژ کلکتور-امیتر | VCES | 1200 V | |
| جریان DC کلکتور (اسمی) | IC,nom | 25 A | Tc = 80°C |
| جریان DC کلکتور (پیک) | IC | 45 A | Tc = 25°C |
| جریان پیک تکراری | ICRM | 50 A | tP=1ms, Tc=80°C |
| توان کل | Ptot | 230 W | Tc = 25°C |
| ولتاژ اشباع CE | VCEsat (typ) | 2.1 V | VGE=15V, Tvj=25°C |
| ولتاژ آستانه گیت | VGE(TO) | 4.5 – 6.5 V | Tvj = 25°C |
| ولتاژ پیک گیت | VGES | ± 20 V | |
| تأخیر روشن/خاموش | td,on / td,off | 45 / 290 ns | RG=27Ω, VCC=600V, 25°C |
| انرژی سوئیچینگ (Eon = Eoff) | Eon / Eoff | 3.2 / 3.2 mWs | Tvj=125°C, LS=75nH |
| جریان اتصال کوتاه | ISC | 160 A | tP≤10µs, VCC=720V |
| ظرفیت ورودی | Cies | 1.5 nF | f=1MHz |
| رکتیفایر ورودی | |||
| ولتاژ معکوس پیک | VRRM | 1600 V | |
| جریان DC مداوم | Id | 25 A | Tc = 80°C |
| جریان ضربهای | IFSM | 300 A | tP=10ms, Tvj=25°C |
| Brake-Chopper | |||
| جریان اسمی چاپر | IC,nom | 12.5 A | Tc = 80°C |
| توان چاپر | Ptot | 100 W | Tc = 25°C |
| حرارتی و مکانیکی | |||
| مقاومت حرارتی RthJC اینورتر | RthJC | 0.55 K/W | |
| حداکثر دمای پیوند | Tvj,max | 150 °C | |
| دامنه دمای کارکرد | Top | –40 … +125 °C | |
| ولتاژ ایزولاسیون | VISOL | 2500 V | RMS, 50Hz, 1min |
| سنسور NTC | R25 | 5 kΩ | B = 3375K |
| گشتاور نصب / وزن | M / G | 3 Nm / 180 g | |
این ماژول IGBT از توپولوژی PIM پیروی میکند. بریج سهفاز رکتیفایر با VRRM = 1600V برای شبکه ۴۰۰VAC با ضریب ایمنی کافی طراحی شده. بخش اینورتر شامل ۶ چیپ IGBT 1200 ولت با دیود فریویل موازی در توپولوژی بریج سهفاز است.
مقاومت اهمی داخلی RCC’+EE’ = 11mΩ و اینداکتانس پراکندگی LσCE ≤ 100nH، کنترل dV/dt را در حین سوئیچینگ تسهیل میکند. VCEsat = 2.1V در دمای ۲۵°C با ضریب دمایی مثبت (2.45V در 125°C) رفتار تقسیم جریان مناسبی در اتصال موازی نشان میدهد.
بریکچاپر داخلی (IC,nom = 12.5A) نیاز به ماژول خارجی را در درایوهای سبک حذف میکند. این ویژگی BSM25GP120 را در میان رقبا به یک راهحل کامل و مقرونبهصرفه تبدیل کرده است.
خمیر حرارتی: از خمیر سیلیکون با λ ≥ 1 W/m·K استفاده کنید. لایه نازک و یکنواخت ۱۰۰–۲۰۰ µm بمالید.
گشتاور نصب: دقیقاً ۳ Nm ± 10% — بیشتر از این مقدار سرامیک Al₂O₃ پایه را ترک میدهد.
ESD: پایه گیت را در حین نصب با مقاومت ۱۰kΩ به امیتر کوتاه کنید. VGES مجاز = ±20V.
مقاومت گیت: RG = 27Ω توصیه دیتاشیت. کاهش این مقدار dV/dt و EMI را افزایش میدهد.
NTC: پایههای NTC (پین ۸ و ۹) را به مدار پروتکشن دمایی وصل کنید. آستانه حفاظت ≈ 80°C.
BSM25GP120 — اصل Infineon/Eupec
موجود در انبار توکل الکترونیک | ارسال به سراسر ایران
برای استعلام قیمت BSM25GP120 همین الان اقدام کنید.
برای دسترسی به تجهیزات تعمیراتی، از دستهبندی ابزارآلات و قطعات الکترونیک فروشگاه توکل الکترونیک دیدن فرمایید.
جهت بررسی اسناد فنی و دیتای مادر، میتوانید به سایت رسمی شرکت اینفینئون مراجعه نمایید.
| Part Number | BSM25GP120 |
|---|---|
| برند | Infineon |
| مشخصات فنی | 25A-1200V |
ماژول IGBT مدل BSM25GP120
هنوز بررسیای ثبت نشده است.