09120130796
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در محل تحویل پرداخت نمایید.
اصالت و سلامت فیزیکی کلیه محصولات توسط کارشناسان ما بررسی و تایید میشود.
ماژول PM45502C ساخت Hitachi یک Silicon N-Channel Power MOS FET Module است که برای کاربردهای High Speed Power Switching طراحی شده است. این قطعه در ساختار خود از دو ماسفت قدرت N-Channel استفاده میکند و مطابق دیاگرام داخلی دیتاشیت، هر بخش دارای ترمینالهای مستقل Gate، Source و Drain است. وجود دیود ذاتی بین سورس و درین نیز باعث میشود این ماژول برای کاربردهایی مانند سوئیچینگ القایی، درایور موتور و رگولاتورهای سوئیچینگ مناسب باشد.
از نظر پکیج، PM45502C دارای ساختار ماژولی صنعتی با بیس ایزوله از ترمینالها است. ترمینالهای قدرت با پیچ M5 و ترمینالهای سیگنال از نوع #110 معرفی شدهاند. این نوع ساختار برای نصب مطمئن روی هیتسینک، انتقال حرارت مناسب و افزایش ایمنی الکتریکی در تجهیزات صنعتی اهمیت زیادی دارد؛ بهخصوص در مدارهایی که جریان بالا و کلیدزنی سریع بهصورت همزمان وجود دارد.
مزیت مهم PM45502C نسبت به ماسفتهای تکی، آماده بودن آن برای کاربردهای توان بالاتر، تحمل حرارتی بهتر، نصب مکانیکی صنعتی و کاهش پیچیدگی مونتاژ در مدارات قدرت است. مقاومت روشن پایین، سرعت سوئیچینگ بالا، جریان درایو گیت پایین و محدوده کاری ایمن وسیع باعث میشود این ماژول انتخابی مناسب برای تعمیر و طراحی تجهیزات قدرت مانند درایور موتور، منابع تغذیه سوئیچینگ و تجهیزات کنترلی صنعتی باشد.
| پارامتر | نماد | مقدار | واحد | توضیح |
|---|---|---|---|---|
| ولتاژ درین به سورس | VDSS | 450 | V | مقدار حداکثر هر FET chip |
| ولتاژ گیت به سورس | VGSS | ±20 | V | حداکثر ولتاژ مجاز گیت |
| جریان درین | ID | 50 | A | برای هر FET chip |
| جریان پیک درین | ID(peak) | 100 | A | برای هر FET chip |
| جریان معکوس دیود بدنه | IDR | 50 | A | Body to Drain Diode |
| جریان پیک معکوس دیود بدنه | IDR(peak) | 100 | A | مقدار پیک مجاز |
| توان اتلافی کانال | Pch | 300 | W | در Tc = 25°C |
| دمای کانال | Tch | 150 | °C | حداکثر دمای مجاز کانال |
در ماژولهای قدرتی مانند PM45502C، استفاده از قطعات فیک یا بیکیفیت میتواند باعث افزایش تلفات، داغ شدن بیش از حد، شکست گیت، سوختن مجدد برد قدرت و توقف تجهیزات صنعتی شود. در مدارهایی مانند درایور موتور و رگولاتورهای سوئیچینگ، اصالت قطعه مستقیماً روی پایداری، راندمان و عمر سیستم اثر میگذارد.
توکل الکترونیک با تمرکز بر تأمین قطعات الکترونیک صنعتی، ماژولهای MOSFET، IGBT، IPM و نیمههادیهای قدرت، اصالت کالا را یکی از اصول اصلی فروش قطعات حساس صنعتی میداند. حضور فیزیکی فروشگاه توکل الکترونیک در بازار جمهوری تهران امکان خرید مطمئن، دریافت مشاوره تخصصی، بررسی جایگزینها و پیگیری سفارش را برای تعمیرکاران، مدیران فنی و واحدهای نگهداری و تعمیرات فراهم میکند.
جهت مشاهده سایر قطعات مشابه و بررسی گزینههای جایگزین، حتماً به صفحه تخصصی خرید ماژول IGBT در وبسایت توکل الکترونیک مراجعه کنید.
PM45502C یک ماژول ماسفت قدرت Silicon N-Channel ساخت Hitachi است. این ماژول برای کاربردهای سوئیچینگ سریع توان طراحی شده و در ساختار داخلی خود از دو FET قدرت با ترمینالهای مستقل Gate، Source و Drain استفاده میکند.
حداکثر ولتاژ درین به سورس این ماژول 450V است. جریان درین برای هر FET chip برابر 50A و جریان پیک درین برابر 100A ذکر شده است. این مقادیر باید با شرایط حرارتی، هیتسینک و محدوده Safe Operating Area بررسی شوند.
مقاومت روشن درین به سورس در شرایط ID=25A و VGS=10V برابر با مقدار Typical حدود 0.08Ω و مقدار حداکثر 0.12Ω است. این پارامتر یکی از عوامل اصلی تعیینکننده تلفات هدایت و دمای کاری ماژول در مدارهای قدرت است.
در دیتاشیت، بسیاری از تستهای اصلی مانند RDS(on) و زمانهای سوئیچینگ با VGS=10V انجام شدهاند. ولتاژ گیت به سورس نباید از محدوده حداکثر ±20V عبور کند. بنابراین در طراحی درایور گیت، کنترل اضافهولتاژ و نویزهای گذرا روی گیت اهمیت زیادی دارد.
PM45502C دارای دیود ذاتی بین سورس و درین است. جریان معکوس دیود بدنه برای هر FET chip برابر 50A و جریان پیک آن 100A است. ولتاژ مستقیم دیود در شرایط IF=25A مقدار Typical حدود 1.2V دارد و زمان بازیابی معکوس آن در شرایط تست دیتاشیت حدود 200ns ذکر شده است.
| Part Number | PM45502C |
|---|---|
| برند | HITACHI |
| مشخصات فنی | 50A-450V |
ماژول ترانزیستور قدرت هیتاچی PM45502C
هنوز بررسیای ثبت نشده است.