کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
TK13A60D یک MOSFET سیلیکونی کانال N از نوع enhancement ساخت Toshiba است که برای کاربردهای رگولاتور سوئیچینگ مشخص شده است. این قطعه برای طراحانی مناسب است که هنگام انتخاب ماسفت، علاوه بر نوع کانال، مشخصات روشنشدن، بار گیت و رفتار سوئیچینگ را هم بررسی میکنند.
مقاومت درین به سورس در حالت روشن، در شرایط VGS = 10 V و ID = 6.5 A، بهصورت تیپیک 0.33 Ω و حداکثر 0.43 Ω است. این اعداد باید همراه با شرایط آزمون و طراحی حرارتی مدار تفسیر شوند و بهتنهایی به معنی جریان کاری دائمی نیستند.
برای مشاهده مدلهای بیشتر و مقایسه گزینههای موجود، خرید ماسفت را بررسی کنید.
مهمترین دادههای قابل استفاده برای مقایسه و انتخاب این قطعه در جدول زیر آمده است:
| پارامتر | مقدار یا توضیح |
|---|---|
| نوع قطعه | MOSFET سیلیکونی کانال N، enhancement |
| پکیج | Toshiba 2-10U1B، سه پایه |
| مقاومت روشن RDS(on) | 0.33 Ω تیپیک، 0.43 Ω حداکثر؛ در VGS = 10 V و ID = 6.5 A |
| ولتاژ آستانه Vth | 2.0 تا 4.0 V؛ در VDS = 10 V و ID = 1 mA |
| بار کل گیت Qg | 40 nC تیپیک |
| کاربرد مشخصشده | رگولاتورهای سوئیچینگ |
ترتیب پایهها به این صورت است: پایه 1 گیت، پایه 2 درین و پایه 3 سورس. پیش از مونتاژ، نقشه پایهها را با طراحی برد و قطعه موجود خود تطبیق دهید.
پارامتر |Yfs| برای TK13A60D در شرایط VDS = 10 V و ID = 6.5 A، مقدار تیپیک 6.5 S و حداقل 1.8 S دارد. ولتاژ قطع درین IDSS حداکثر 10 μA است و در VDS = 600 V و VGS = 0 V مشخص شده است.
ولتاژ شکست درین به سورس حداقل 600 V، در ID = 10 mA و VGS = 0 V، اعلام شده است. همچنین 600 V برای VDSS در برگه مشخصات بهعنوان حد مطلق در Ta = 25°C آمده است؛ این عدد را نباید بهعنوان ولتاژ کاری پیشنهادی یا حاشیه ایمنی مدار در نظر گرفت. VGSS نیز دارای حد مطلق ±30 V است.
بار کل گیت 40 nC بهصورت تیپیک و در شرایط VDD حدود 400 V، VGS = 10 V و ID = 13 A ارائه شده است. زمانهای سوئیچینگ تیپیک شامل زمان صعود 50 ns، زمان روشنشدن 100 ns، زمان سقوط 25 ns و زمان خاموششدن 140 ns هستند. این مقادیر به شرایط آزمون وابستهاند؛ از جمله ID = 6.5 A، VDD حدود 200 V، مقاومت بار 30 Ω و duty حداکثر 1 درصد.
حداکثر جریان درین DC برابر 13 A و حد پالس آن 52 A برای پالس 1 ms است. این دو مقدار، rating مطلق هستند و نباید بدون بررسی دفع حرارت، شرایط کاری و طراحی مدار بهعنوان جریان نامی دائمی استفاده شوند. حداکثر دمای کانال نیز 150°C اعلام شده است.
برای اطلاع از قیمت و موجودی روز TK13A60D با توکل الکترونیک تماس بگیرید. این قطعه بهصورت فروش تکی و تعدادی عرضه میشود و برای خرید عمده یا تأمین شرکتی، امکان دریافت پیشفاکتور وجود دارد.
این قطعه یک ماسفت سیلیکونی کانال N در حالت enhancement است و برای کاربردهای رگولاتور سوئیچینگ مشخص شده است.
پایه 1 گیت، پایه 2 درین و پایه 3 سورس است. این قطعه از پکیج Toshiba 2-10U1B با سه پایه استفاده میکند.
خیر. 600 V برای VDSS، جریان 13 A برای DC و 52 A برای پالس 1 ms در گروه حد مطلق قرار میگیرند و باید با شرایط واقعی مدار و مدیریت حرارت بررسی شوند.
TK13A60D یک ماسفت کانال N با پکیج 2-10U1B، مقاومت روشن 0.33 Ω تیپیک، بار گیت 40 nC تیپیک و مشخصات مناسب برای بررسی در رگولاتورهای سوئیچینگ است. برای انتخاب نهایی، ترتیب پایهها، شرایط درایو گیت، جریان مدار و حدود مطلق را با طراحی خود مقایسه کنید. سپس برای استعلام قیمت، موجودی و ثبت سفارش با توکل الکترونیک در ارتباط باشید.
| Part Number | TK13A60D |
|---|---|
| پکیج | TO-220-3 |
| Channel Type | N-Channel |
| مشخصات فنی | VDS: 600 V |
درمورد این محصول دیدگاه درج کنید.

ماسفت TK13A60D

هنوز بررسیای ثبت نشده است.