لغو پیش بارگیری
09120130796

پشتیبانی 24 ساعته

globe
ارسال سراسر کشور

ماسفت IRF510

ویژگی‌ها
Part NumberIRF510
پکیجD2PAK
Channel TypeN-Channel
مشخصات فنیVDS: 100 V, ID: 5.6 A
مشاهده همه ویژگی‌ها
برای قیمت تماس بگیرید

تحویل اکسپرس

کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.

09120130796

7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.

پرداخت

میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.

محصولات اصل

تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.

توضیحات

معرفی ماسفت IRF510

IRF510 یک ماسفت قدرت سیلیکون‌گیت، کانال N و از نوع enhancement-mode است که توسط STMicroelectronics عرضه می‌شود. این قطعه در پکیج JEDEC نوع TO-220AB قرار دارد و برای طراحی‌هایی مناسب است که در آن‌ها نوع کانال، قالب نصب و مشخصات سوئیچینگ اهمیت دارد.

کاربردهای تعریف‌شده برای IRF510 شامل رگولاتورهای سوئیچینگ، مبدل‌های سوئیچینگ، درایور موتور، درایور رله و درایو ترانزیستورهای سوئیچینگ دوقطبی توان بالا است.

ویژگی‌های کلیدی IRF510

جدول زیر مهم‌ترین مشخصات قابل استفاده برای بررسی اولیه را خلاصه می‌کند.

پارامتر مقدار شرایط آزمون یا توضیح
نوع قطعه ماسفت قدرت کانال N enhancement-mode، گیت سیلیکونی
پکیج TO-220AB پکیج JEDEC
ولتاژ شکست Drain-Source حداقل 100 V VGS = 0 V، ID = 250 µA
جریان Drain روشن حداقل 5.6 A VGS = 10 V
مقاومت روشن Drain-Source 0.4 Ω معمولی؛ 0.54 Ω حداکثر VGS = 10 V، ID = 3.4 A

مشخصات الکتریکی ماسفت IRF510

ولتاژ شکست Drain-Source حداقل 100 V است و این مقدار در VGS = 0 V و ID = 250 µA مشخص شده است. جریان Drain روشن نیز حداقل 5.6 A در شرایط VDS > ID(ON) × rDS(ON)MAX و VGS = 10 V اعلام شده است.

مقاومت روشن Drain-Source برابر 0.4 Ω به‌صورت معمولی و 0.54 Ω به‌صورت حداکثری است؛ شرط اندازه‌گیری VGS = 10 V و ID = 3.4 A بوده است. ولتاژ آستانه Gate-Source از حداقل 2.0 V تا حداکثر 4.0 V است و در VGS = VDS و ID = 250 µA اندازه‌گیری شده است.

بار کل گیت 5.0 nC معمولی و 30 nC حداکثری است. ظرفیت ورودی نیز 135 pF به‌صورت معمولی، در VGS = 0 V، VDS = 25 V و فرکانس 1.0 MHz مشخص شده است.

حدود مجاز و نکات انتخاب

مقادیر 100 V برای Drain-Source و 5.6 A برای جریان پیوسته، حد مجاز مطلق هستند و نباید به‌عنوان شرایط کار عادی یا حاشیه طراحی در نظر گرفته شوند. حداکثر ولتاژ Gate-Source برابر ±20 V و حداکثر توان تلفاتی 43 W است.

ولتاژ دیود Source-Drain حداکثر 2.5 V در TJ = 25°C، ISD = 5.6 A و VGS = 0 V اعلام شده است. محدوده دمایی عملیاتی و ذخیره‌سازی −55°C تا 175°C نیز در همین گروه قرار دارد. پیش از جایگزینی، شماره فنی و پکیج را با نیاز مدار تطبیق دهید.


قیمت و خرید IRF510

برای استعلام قیمت و موجودی روز این ماسفت با توکل الکترونیک تماس بگیرید. فروش تکی و تعدادی، خرید عمده و تأمین شرکتی و امکان دریافت پیش‌فاکتور فراهم است. همچنین می‌توانید پیش از ثبت سفارش، پارت‌نامبر موردنظر را برای بررسی ارسال کنید.

توکل الکترونیک ضمانت اصالت کالا را ارائه می‌کند و ارسال به سراسر کشور و حضور فیزیکی در بازار جمهوری تهران دارد. برای مشاهده گزینه‌های این دسته، عبارت مشاهده ماسفت را دنبال کنید.


سؤالات متداول درباره IRF510

IRF510 چه نوع ماسفتی است؟

این قطعه یک ماسفت قدرت کانال N از نوع enhancement-mode با گیت سیلیکونی است و در پکیج JEDEC TO-220AB عرضه می‌شود.

IRF510 در چه مدارهایی کاربرد دارد؟

کاربردهای آن شامل رگولاتور و مبدل سوئیچینگ، درایور موتور، درایور رله و درایو ترانزیستورهای سوئیچینگ دوقطبی توان بالا است.

برای خرید IRF510 چه مواردی بررسی شود؟

نوع کانال، پکیج، ولتاژ شکست، جریان موردنیاز، مقاومت روشن و شرایط تحریک گیت را با مدار خود مقایسه کنید و سپس برای دریافت قیمت و موجودی روز اقدام کنید.


جمع‌بندی و ثبت سفارش IRF510

این ماسفت کانال N با پکیج TO-220AB، ولتاژ شکست حداقل 100 V و جریان Drain روشن حداقل 5.6 A، برای کاربردهای مشخص سوئیچینگ و درایوری قابل بررسی است. مقاومت روشن، بار گیت و حدود مجاز باید در طراحی نهایی لحاظ شوند. برای سفارش یا دریافت پیش‌فاکتور، پارت‌نامبر و تعداد موردنیاز را برای توکل الکترونیک ارسال کنید.

توضیحات تکمیلی

Part Number

IRF510

پکیج

D2PAK

Channel Type

N-Channel

مشخصات فنی

VDS: 100 V, ID: 5.6 A

نقد و بررسی‌ها

درمورد این محصول دیدگاه درج کنید.

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

کالا به سبد اضافه شد!
سبد خرید