پشتیبانی 24 ساعته
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
ماسفت 2SK3476 ساخت Toshiba، یک ترانزیستور اثر میدان MOS سیلیکونی از نوع N-Channel است. کاربرد تعریف‌شده برای آن، تقویت‌کننده‌های باند VHF و UHF است؛ بنابراین هنگام انتخاب، فرکانس کاری مدار و شرایط آزمون مشخصات را در کنار نیاز طراحی خود بررسی کنید.
برای مقایسه عملکرد، توان خروجی حداقل 7 W، راندمان درین حداقل 60٪ و بهره توان حداقل 11.4 dB در شرایط VDS برابر 7.2 V، جریان بی‌باری 500 mA، فرکانس 520 MHz و توان ورودی 500 mW اعلام شده است. در این مقادیر، VGS به‌صورت تنظیم‌شده در نظر گرفته شده است.
مهم‌ترین داده‌های عملکردی برای بررسی اولیه این قطعه در جدول زیر آمده است. مقادیر حداقل و تیپیک را باید مطابق شرایط آزمون خود تفسیر کرد و نباید آن‌ها را جایگزین یکدیگر دانست.
| پارامتر | مقدار | شرایط آزمون |
|---|---|---|
| توان خروجی | حداقل 7 W | VDS=7.2 V، Iidle=500 mA، f=520 MHz، Pi=500 mW |
| راندمان درین | حداقل 60٪ | VDS=7.2 V، Iidle=500 mA، f=520 MHz، Pi=500 mW |
| بهره توان | حداقل 11.4 dB | VDS=7.2 V، Iidle=500 mA، f=520 MHz، Pi=500 mW |
| توان خروجی در ولتاژ پایین | حداقل 5 W | VDS=6.0 V، Iidle=500 mA، f=520 MHz، Pi=500 mW |
| ولتاژ آستانه | 0.55 V حداقل، 1.05 V تیپیک، 1.55 V حداکثر | VDS=7.2 V، ID=2 mA، Ta=25°C |
| ظرفیت ورودی/خروجی | Ciss=53 pF، Coss=49 pF تیپیک | VDS=7.2 V، VGS=0 V، f=1 MHz، Ta=25°C |
ولتاژ درین-سورس در حالت روشن، مقدار تیپیک 18 mV دارد؛ این مقدار در VGS برابر 10 V و ID برابر 75 mA، در Ta=25°C مشخص شده است. چنین شرایطی برای مقایسه فنی مهم است و باید در ارزیابی طراحی در نظر گرفته شود.
آرایش پایه‌ها به این صورت است: پایه 1 گیت، پایه 2 سورس با نقش هیت‌سینک و پایه 3 درین. پیش از نصب یا لحیم‌کاری، این ترتیب را با نقشه مدار و قطعه موردنیاز خود تطبیق دهید.
2SK3476 برای کاربردهای تقویت‌کننده در باندهای VHF و UHF معرفی شده است. توان خروجی حداقل 7 W در VDS برابر 7.2 V و توان خروجی حداقل 5 W در VDS برابر 6.0 V، دو داده قابل استفاده برای مقایسه شرایط طراحی هستند. بهره توان حداقل 11.4 dB و راندمان درین حداقل 60٪ نیز در شرایط آزمون 520 MHz ارائه شده‌اند.
ظرفیت ورودی 53 pF و ظرفیت خروجی 49 pF، هر دو به‌صورت تیپیک و در فرکانس 1 MHz مشخص شده‌اند. برای انتخاب نهایی، شرایط آزمون، ولتاژها، جریان‌ها و آرایش پایه‌ها را با مدار خود مقایسه کنید. این اطلاعات به‌تنهایی سازگاری با همه دستگاه‌ها یا جایگزینی مستقیم قطعه دیگری را اثبات نمی‌کند.
برای بررسی گزینه‌های مرتبط، عبارت مشاهده ماسفت را دنبال کنید و مشخصات هر قطعه را جداگانه با نیاز مدار تطبیق دهید.
قیمت و موجودی 2SK3476 را میتوانید به‌صورت روز دریافت کنید. توکل الکترونیک امکان فروش تکی و تعدادی، خرید عمده و تأمین شرکتی را فراهم می‌کند و در صورت نیاز، امکان دریافت پیش‌فاکتور نیز وجود دارد.
این محصول یک ترانزیستور اثر میدان MOS سیلیکونی از نوع N-Channel است و برای کاربردهای تقویت‌کننده در باندهای VHF و UHF تعریف شده است.
خیر. 20 V حداکثر ولتاژ درین-سورس و ±5 V حداکثر ولتاژ گیت-سورس در رده محدودیت مطلق، در Ta=25°C هستند. این مقادیر نباید به‌عنوان شرایط کاری عادی در نظر گرفته شوند. حداکثر جریان درین نیز 3 A و حداکثر توان تلف‌شده 20 W است؛ توان تلف‌شده با شرط Tc=25°C و نصب روی PCB گلاس‌اپوکسی 1.6 mm مشخص شده است.
این ماسفت N-Channel سیلیکونی برای تقویت‌کننده‌های VHF و UHF مناسب بررسی است و داده‌هایی مانند توان خروجی، راندمان، بهره توان و ظرفیت‌های ورودی و خروجی برای ارزیابی آن ارائه شده‌اند. برای استعلام قیمت و موجودی روز، دریافت پیش‌فاکتور یا ثبت سفارش، با توکل الکترونیک در ارتباط باشید.
| Part Number | 2SK3476 |
|---|---|
| Channel Type | N-Channel |
| مشخصات فنی | VDS: 20 V |
ماسفت 2SK3476
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.