پشتیبانی 24 ساعته
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
ماسفت IXFX20N120 از محصولات IXYS و یک Power MOSFET از خانواده HiPerFET است که در پکیج PLUS 247 عرضه میشود. این قطعه برای طراحانی مناسب است که هنگام انتخاب ماسفت، مقاومت روشن، مشخصات گیت، رفتار دیود source-drain و زمان‌های کلیدزنی را در کنار کاربرد مدار بررسی می‌کنند.
برای اطلاع از قیمت و موجودی روز نیز میتوانید با توکل الکترونیک در تماس باشید.
این مدل یک ماسفت قدرت با پکیج PLUS 247 است. پکیج باید با فضای نصب و طراحی مکانیکی مجموعه هماهنگ باشد. در مقایسه با قطعات دیگر، شباهت ظاهری به‌تنهایی کافی نیست و بررسی دقیق پارت‌نامبر و مشخصات الکتریکی اهمیت دارد.
حداکثر ولتاژ drain-source این قطعه 1200 V در دمای پیوند 25 تا 150 درجه سانتی‌گراد اعلام شده است. این مقدار یک حد مجاز است و نباید به‌عنوان ولتاژ کاری عادی در نظر گرفته شود. حداکثر جریان drain پیوسته نیز 20 A در دمای بدنه 25 درجه سانتی‌گراد است و جریان پالسی حداکثر 80 A اعلام شده؛ استفاده واقعی باید با شرایط مدار و طراحی حرارتی تطبیق داده شود.
| پارامتر | مقدار | شرایط مهم |
|---|---|---|
| نوع قطعه | Power MOSFET | خانواده HiPerFET |
| پکیج | PLUS 247 | — |
| RDS(on) حداکثر | 0.75 Ω | VGS = 10 V؛ آزمون پالسی |
| VGS(th) | 2.5 تا 4.5 V | VDS = VGS؛ ID = 8 mA؛ TJ = 25°C |
| جریان دیود source-drain | 20 A | VGS = 0 V؛ TJ = 25°C |
مقاومت drain-source در حالت روشن، حداکثر 0.75 Ω است. این مقدار با VGS برابر 10 V و در آزمون پالسی با جریان ID برابر 0.5 برابر ID25، زمان پالس حداکثر 300 میکروثانیه و duty cycle حداکثر 2 درصد مشخص شده است.
ولتاژ آستانه gate-source در بازه 2.5 تا 4.5 V قرار دارد؛ این مشخصه در VDS برابر VGS، جریان ID برابر 8 mA و دمای پیوند 25°C اعلام شده است. ولتاژ آستانه به‌تنهایی نشان‌دهنده ولتاژ درایو کامل ماسفت نیست. حداکثر ولتاژ مجاز gate-source نیز ±30 V است و باید به‌عنوان حد مجاز پیوسته رعایت شود.
ظرفیت ورودی Ciss برابر 7400 pF در VGS صفر، VDS برابر 25 V، فرکانس 1 MHz و دمای پیوند 25°C است. شارژ کل گیت Qg(on) نیز 160 nC با VGS برابر 10 V و شرایط آزمون مشخص‌شده اعلام شده است. این اعداد برای بررسی نیازهای مدار درایو گیت کاربرد دارند.
زمان‌های turn-on delay، rise time، turn-off delay و fall time به‌ترتیب 25، 45، 75 و 20 ns هستند. این نتایج با VGS برابر 10 V، مقاومت خارجی گیت 1 Ω، دمای پیوند 25°C و شرایط آزمون تعیین شده‌اند.
کاربردهای معرفی‌شده برای این قطعه شامل مبدل‌های DC-DC، شارژرهای باتری، منابع تغذیه سوئیچینگ و رزونانسی، چاپرهای DC، کنترل موتور AC و کنترل دما و روشنایی است. انتخاب نهایی باید بر اساس توپولوژی مدار، جریان موردنیاز، روش راه‌اندازی گیت و شرایط کاری انجام شود.
دیود source-drain دارای جریان 20 A در VGS برابر صفر و دمای پیوند 25°C است. ولتاژ مستقیم این دیود حداکثر 1.5 V و زمان بازیابی معکوس آن حداکثر 300 ns در دمای پیوند 25°C اعلام شده است. این پارامترها برای بررسی مسیر دیود و رفتار سوئیچینگ مدار اهمیت دارند.
برای مقایسه قطعات هم‌رده، عبارت مشاهده ماسفت را دنبال کنید و مشخصات هر پارت‌نامبر را جداگانه با نیاز مدار تطبیق دهید.
برای استعلام قیمت و موجودی روز، ثبت سفارش یا دریافت پیش‌فاکتور با توکل الکترونیک در ارتباط باشید. ضمانت اصالت کالا نیز مطابق شرایط فروشگاه ارائه میشود.
بله، این قطعه برای مبدل‌های DC-DC، منابع تغذیه سوئیچینگ و رزونانسی، چاپرهای DC و کنترل موتور AC معرفی شده است. شرایط گیت، جریان و ساختار مدار باید پیش از استفاده بررسی شود.
این مدل در پکیج PLUS 247 عرضه میشود. فضای نصب و تطابق پکیج با طراحی مکانیکی مجموعه را پیش از سفارش کنترل کنید.
ماسفت IXFX20N120 یک Power MOSFET در پکیج PLUS 247 است که مشخصات آن شامل RDS(on) حداکثر 0.75 Ω، شارژ گیت 160 nC، ظرفیت ورودی 7400 pF و زمان‌های کلیدزنی اعلام‌شده میشود. برای دریافت قیمت، موجودی یا پیش‌فاکتور، درخواست خود را برای توکل الکترونیک ارسال کنید تا پارت‌نامبر و شرایط سفارش بررسی شود.
| Part Number | IXFX20N120 |
|---|---|
| پکیج | PLUS 247 |
| مشخصات فنی | VDS: 1200 V, ID: 20 A |
ماسفت IXFX20N120
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.