پشتیبانی 24 ساعته
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
IRFD020 یک ترانزیستور قدرت ماسفت کانال N از نوع HEXFET است و با نام Vishay / Siliconix شناخته میشود. این قطعه برای مدارهایی مناسب است که به ماسفت کانال N با مشخصات روشن در بخش‌های ولتاژ، مقاومت روشن و زمان‌های سوئیچینگ نیاز دارند.
این ماسفت در خانواده قطعات توان 1 W قرار می‌گیرد. هنگام انتخاب آن، پارت‌نامبر دقیق را با نیاز پروژه تطبیق دهید؛ چون ولتاژ شکست، سطح گیت، جریان مورد انتظار و شرایط حرارتی باید هم‌زمان بررسی شوند.
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| نوع کانال | N-channel HEXFET |
| ولتاژ شکست Drain-Source | حداقل 50 V |
| مقاومت روشن Drain-Source | 0.080 Ω تیپیک، 0.10 Ω حداکثر |
| ولتاژ آستانه گیت | 2.0 V حداقل تا 4.0 V حداکثر |
ولتاژ شکست Drain-Source در شرایط VGS = 0 V، جریان ID برابر با 250 µA و دمای بدنه 25°C مشخص شده است. مقاومت روشن نیز در VGS = 10 V، جریان ID برابر با 1.4 A و دمای بدنه 25°C ارائه میشود.
برای بررسی گزینه‌های مرتبط، از بخش خرید ماسفت استفاده کنید.
ولتاژ آستانه گیت این قطعه بین 2.0 V حداقل و 4.0 V حداکثر اعلام شده است. این بازه با شرایط VDS = VGS، جریان ID برابر با 250 µA و دمای بدنه 25°C به دست آمده و برای بررسی سطح تحریک گیت اهمیت دارد.
ترانسکانداکتانس مستقیم IRFD020 حداقل 4.9 S و مقدار تیپیک آن 7.3 S است. زمان تأخیر روشن‌شدن 8.7 ns تیپیک و 13 ns حداکثر، و زمان خیز 55 ns تیپیک و 83 ns حداکثر اعلام شده است.
حداکثر ولتاژ گیت-سورس ±20 V است و باید آن را فقط به‌عنوان حد مجاز مطلق در نظر گرفت، نه ولتاژ کاری عادی. جریان Drain پیوسته 2.4 A در دمای بدنه 25°C و 1.5 A در دمای بدنه 100°C نیز هر دو مقدار حداکثر مطلق هستند. حداکثر توان تلفاتی 1.0 W در دمای بدنه 25°C اعلام شده است.
مقاومت حرارتی اتصال تا محیط در نصب سوکتی معمولی 120 K/W است. بازه دمای اتصال و نگهداری از 55- تا 150°C به‌عنوان حد مجاز مطلق بیان شده است.
پیش از انتخاب، نوع کانال، سطح تحریک گیت، جریان مورد انتظار و شرایط دفع حرارت را با طراحی خود تطبیق دهید. مقادیر حداکثر مطلق را هم‌معنی با شرایط کاری مدار در نظر نگیرید.
برای استعلام قیمت و موجودی روز این قطعه با توکل الکترونیک تماس بگیرید. فروش تکی و تعدادی، خرید عمده و تأمین شرکتی و امکان دریافت پیش‌فاکتور برای سفارش‌های سازمانی فراهم است.
پیش از سفارش، پارت‌نامبر IRFD020 را با مدارک فنی و نیاز پروژه تطبیق دهید. توکل الکترونیک امکان بررسی پارت‌نامبر قبل از سفارش، ضمانت اصالت کالا و ارسال به سراسر کشور را ارائه می‌کند. حضور فیزیکی در بازار جمهوری تهران نیز برای پیگیری سفارش در دسترس است.
این قطعه یک ترانزیستور قدرت ماسفت کانال N از نوع HEXFET است و در خانواده ماسفت‌های توان 1 W قرار می‌گیرد.
حداقل ولتاژ شکست Drain-Source برابر با 50 V است. این مقدار در شرایط VGS = 0 V، جریان ID برابر با 250 µA و دمای بدنه 25°C مشخص شده است.
خیر. جریان 2.4 A در دمای بدنه 25°C یک مقدار حداکثر مطلق است. مقدار 1.5 A در دمای بدنه 100°C نیز حداکثر مطلق محسوب میشود و جریان واقعی باید با توجه به شرایط حرارتی و طراحی مدار تعیین شود.
IRFD020 یک ماسفت قدرت N-channel از Vishay / Siliconix است که با ولتاژ شکست حداقل 50 V، مقاومت روشن مشخص و زمان‌های سوئیچینگ نانوثانیه‌ای، برای بررسی در طراحی‌های الکترونیکی گزینه‌ای قابل ارزیابی است. برای دریافت قیمت، موجودی روز یا پیش‌فاکتور، پارت‌نامبر دقیق IRFD020 و تعداد موردنیاز را برای توکل الکترونیک ارسال کنید.
| Part Number | IRFD020 |
|---|---|
| پکیج | DIP |
| Channel Type | N-Channel |
| مشخصات فنی | VDS: 50 V, ID: 2.4 A |
ماسفت IRFD020
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.