پشتیبانی 24 ساعته
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
ماسفت IRFZ14S یک HEXFET Power MOSFET از محصولات Vishay / Siliconix است که برای سوئیچینگ کارآمد و قابل‌اعتماد در طیف گسترده‌ای از کاربردها طراحی شده است. نسخه ارائه‌شده با پکیج نصب سطحی D2Pak عرضه میشود؛ بنابراین هنگام انتخاب، هماهنگی نوع پکیج با برد و روش مونتاژ اهمیت دارد.
در بررسی این قطعه، ولتاژ شکست درین به سورس و مقاومت روشن استاتیک از مشخصات مهم برای مقایسه هستند. ولتاژ شکست درین به سورس حداقل 60 V است و مقاومت روشن استاتیک درین به سورس حداکثر 0.20 Ω اعلام شده است. این مقادیر باید همراه با شرایط آزمون و نیاز واقعی مدار بررسی شوند.
– نوع قطعه: HEXFET Power MOSFET – پکیج: D2Pak، نصب سطحی – ولتاژ شکست درین به سورس: حداقل 60 V – مقاومت روشن استاتیک درین به سورس: حداکثر 0.20 Ω – بار کل گیت: 11 nC به‌صورت معمول – ظرفیت ورودی: 300 pF به‌صورت معمول
مقاومت روشن استاتیک حداکثر 0.20 Ω در VGS = 10 V و ID = 6.0 A، با TJ = 25°C مگر در مواردی که خلاف آن مشخص شده باشد، تعیین شده است. ولتاژ آستانه گیت از 2.0 V حداقل تا 4.0 V حداکثر گزارش شده و شرایط آزمون آن VDS = VGS و ID = 250 µA است.
بار کل گیت 11 nC به‌صورت معمول، در ID = 10 A، VDS = 48 V و VGS = 10 V مشخص شده است. زمان تأخیر روشن‌شدن 10 ns و زمان صعود 50 ns نیز مقادیر معمول هستند و در شرایط آزمون تعریف‌شده برای VDD، جریان، مقاومت گیت و مقاومت درین اندازه‌گیری شده‌اند. در نتیجه، مقایسه عملکرد سوئیچینگ باید با توجه به شرایط واقعی مدار انجام شود.
| پارامتر | مقدار | شرایط مهم |
|---|---|---|
| ولتاژ شکست درین به سورس | حداقل 60 V | VGS = 0 V، ID = 250 µA |
| مقاومت روشن استاتیک | حداکثر 0.20 Ω | VGS = 10 V، ID = 6.0 A |
| بار کل گیت | 11 nC معمولی | ID = 10 A، VDS = 48 V، VGS = 10 V |
| ظرفیت ورودی | 300 pF معمولی | VGS = 0 V، VDS = 25 V، f = 1.0 MHz |
ولتاژ آستانه گیت نباید به‌تنهایی به‌عنوان ولتاژ کامل روشن‌شدن در نظر گرفته شود؛ برای ارزیابی حالت روشن، مقاومت روشن در شرایط VGS مشخص‌شده اهمیت بیشتری دارد. ظرفیت ورودی 300 pF معمولی و بار کل گیت 11 nC معمولی نیز در بررسی درایو گیت و رفتار سوئیچینگ قابل توجه هستند، اما نتیجه نهایی به شرایط مدار وابسته است.
جریان‌های 10 A در دمای بدنه 25°C و 7.2 A در دمای بدنه 100°C، حد مجاز مطلق هستند و نباید به‌عنوان جریان کاری تضمین‌شده در هر مدار تلقی شوند. جریان پالسی 40 A نیز در همین دسته قرار دارد و به محدودیت عرض پالس و حداکثر دمای پیوند وابسته است. ولتاژ گیت به سورس دارای حد مجاز مطلق ±20 V است.
دمای پیوند کاری در بازه −55°C تا +175°C به‌عنوان حد مجاز مشخص شده است. ولتاژ مستقیم دیود بدنه نیز حداکثر 1.6 V در TJ = 25°C، IS = 10 A و VGS = 0 V اعلام شده است. این اطلاعات برای بررسی اولیه مناسب‌اند، اما انتخاب نهایی باید با شرایط کاری مدار تطبیق داده شود.
پیش از ثبت سفارش، پارت‌نامبر IRFZ14S و پکیج D2Pak را با نیاز برد خود تطبیق دهید. برای بررسی گروه محصولات مرتبط میتوانید عبارت مشاهده ماسفت را دنبال کنید. ارسال به سراسر کشور و حضور فیزیکی در بازار جمهوری تهران نیز از راه‌های خرید و پیگیری سفارش هستند.
این محصول یک HEXFET Power MOSFET است که برای سوئیچینگ کارآمد و قابل‌اعتماد در طیف گسترده‌ای از کاربردها طراحی شده است.
پکیج این نسخه D2Pak و از نوع نصب سطحی است. پیش از سفارش، هماهنگی پکیج با برد و روش مونتاژ را بررسی کنید.
این ماسفت با پکیج D2Pak، ولتاژ شکست حداقل 60 V، مقاومت روشن حداکثر 0.20 Ω و مشخصات سوئیچینگ تعریف‌شده، گزینه‌ای برای بررسی در طراحی‌های سوئیچینگ است. برای دریافت قیمت، موجودی و ثبت سفارش، مشخصات پارت‌نامبر و پکیج موردنیاز خود را با اطلاعات محصول تطبیق دهید و با توکل الکترونیک در ارتباط باشید.
| Part Number | IRFZ14S |
|---|---|
| پکیج | D2PAK |
| مشخصات فنی | VDS: 60 V, ID: 10 A |
ماسفت IRFZ14S
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.