09120130796
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در محل تحویل پرداخت نمایید.
اصالت و سلامت فیزیکی کلیه محصولات توسط کارشناسان ما بررسی و تایید میشود.
در طراحی بردهای الکترونیک صنعتی و سیستمهای کنترل موتور با توان متوسط، پایداری حرارتی و ابعاد بهینه ماژولهای سوئیچینگ اهمیت بالایی دارد. ماژول آیجیبیتی BSM35GB120DN2 ساخت شرکت اینفینئون (که در پارتهای سابقه با برند زیمنس آلمان نیز عرضه میشد)، یک نیمههادی قدرت پیشرفته در کلاس ولتاژ 1200V است که برای جریان نامی کاربردی 35A مهندسی شده است.
این قطعه بر پایه توپولوژی نیمپُل یا دوبل (Half-Bridge) طراحی شده و دو ترانزیستور IGBT مجزا را به همراه دو دیود فریویلینگ فوقسریع در پکیج استاندارد و عایق HALF-BRIDGE 1 تجمیع کرده است. ویژگی برجسته پارتنامبر BSM35GB120DN2 بهرهمندی از سطح دیود دوبل شده (Doubled diode area) است که قابلیت تحمل جریانهای برگشتی و بارهای اندوکتیو شدید موتور را به شدت ارتقا میدهد. کفی فلزی این ماژول کاملاً ایزوله بوده و انتقال حرارت سریعی را به هیتسینک سیستم فراهم میکند. برای طراحانی که به دنبال کیفیت ساخت تراز اول اروپایی هستند، خرید BSM35GB120DN2 پایداری بورد را در شرایط کارکرد مداوم تضمین میکند.
جهت تحلیل محاسباتی و دقیق رفتار الکتریکی این نیمههادی، اطلاعات استخراجشده از کاتالوگ رسمی قطعه در جدول زیر دستهبندی شده است:
| پارامترهای الکتریکی و مکانیکی | نماد فنی | مقادیر مستند کاتالوگ | شرایط سنجش آزمایشگاهی |
| کد فنی دقیق کالا | BSM35GB120DN2 | مشخصه کانون قطعه | مستند به دیتای رسمی اینفینئون |
| ولتاژ کلکتور – امیتر مجاز | VCE | 1200V | حداکثر ولتاژ سدکننده ترانزیستور |
| جریان مداوم کلکتور (دمای 25 درجه) | IC | 50A | جریان DC در دمای کفی ۲۵ درجه |
| جریان مداوم کلکتور (دمای 80 درجه) | IC | 35A | جریان DC در دمای کفی ۸۰ درجه |
| جریان پالسی کلکتور | ICpuls | 100A | دمای کفی ۲۵ درجه و پالس یک میلیثانیه |
| توان کل تلفاتی هر ترانزیستور | Ptot | 310W | دمای کفی ترانزیستور در ۲۵ درجه |
| ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (دمای اتاق) | VCE(sat) | 2.5V | مشخصه معمولی در جریان نامی کالا |
| ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (دمای کاری) | VCE(sat) | 3.1V | در دمای کاری ۱۲۵ درجه سانتیگراد |
| ولتاژ آستانه گیت – امیتر | VGE(th) | 4.5 – 6.5 V | ولتاژ تست آستانه تحریک گیت |
| ولتاژ فوروارد دیود هرزگرد | VF | 2.0V | جریان نامی دیود در دمای ۱۲۵ درجه |
| ولتاژ تست ایزولاسیون عایق | Vis | 2500 V | تست متناوب به مدت یک دقیقه |
طراحی بهینه و ساختار سختکار پارتنامبر BSM35GB120DN2 استفاده از آن را در سیستمهای صنعتی زیر بسیار رایج کرده است:
اینورترهای کنترل دور موتور (VFD): استفاده در بخش قدرت درایوهای فرکانسی موتورهای سه فاز صنعتی با توان متوسط.
سروو درایوهای AC و DC: راهاندازی و کنترل موقعیت دقیق موتورهای سروو در ماشینآلات اتوماسیون.
منابع تغذیه سوئیچینگ توان بالا: استفاده در مدارهای مبدل ولتاژ و اینورترهای منابع تغذیه بدون وقفه (UPS).
سیستمهای گرمایش القایی کمتوان: کاربرد در کوره های القایی کارگاهی و چوپرهای ترمز درایوها.
۱. مساحت دیود دو برابر شده: طراحی اختصاصی دیودهای هرزگرد داخلی در این مدل، مقاومت قطعه را در برابر جریانهای برگشتی ناشی از فازهای سلفی موتور به طور چشمگیری افزایش داده است.
۲. امپدانس حرارتی بسیار مناسب: بیسپلیت عایق با متریال مرغوب، مقاومت حرارتی تراشه به بدنه را در کمترین حالت ممکن نگه میدارد تا دفع حرارت به سرعت انجام شود.
۳. پکیج نیمپُل استاندارد: ابعاد فشرده و طراحی گام پایهها در پکیج HALF-BRIDGE 1، فرآیند طراحی خطوط بورد چاپی (PCB) را بسیار ساده و بهینه میکند.
بررسی منحنیهای سوییچینگ در داکیومنت رسمی این قطعه نشان میدهد که ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر کالا در جریان نامی و دمای اتاق ۲.۵ ولت است. با گرم شدن مغز سیلیکون و رسیدن به دمای کاری ۱۲۵ درجه، این ولتاژ به ۳.۱ ولت افزایش مییابد. این ضریب دمایی مثبت به طراحان بورد این امکان را میدهد تا در صورت نیاز به جریانهای بالاتر، چند ماژول BSM35GB120DN2 را به راحتی با یکدیگر موازی کنند، چرا که جریان به صورت کاملاً خودکار بین شاخهها متعادل شده و ریسک تمرکز حرارتی برطرف میشود.
💡 نکات کلیدی نصب و راهاندازی BSM35GB120DN2:
خمیر سیلیکون یکنواخت: به دلیل نصب مستقیم پکیج روی هیتسینک، حتماً از خمیر سیلیکون با کیفیت صنعتی و به صورت یک لایه بسیار نازک و یکنواخت استفاده کنید. عدم رعایت این نکته مقاومت حرارتی تماس را بالا برده و قطعه را دچار سوختگی موضعی میکند.
مقاومت گیت مناسب: مقاومت گیت پیشنهادی در دیتای رسمی کاتالوگ ۳۹ اهم ذکر شده است. تغییر بیش از حد این مقدار میتواند تلفات خاموش و روشن شدن ترانزیستور را به شدت افزایش دهد.
حفاظت در برابر ESD: پایههای گیت ترانزیستورهای این ماژول به شدت به الکتریسیته ساکن بدن و تجهیزات حساس هستند. تا پیش از اتمام فرآیند لحیمکاری کامل روی بورد، ترمینالهای فرمان ماژول BSM35GB120DN2 را اتصال کوتاه نگه دارید.
نیمههادیهای قدرت به دلیل کارکرد در ولتاژهای بالا، مستقیماً با سلامت کل بورد در ارتباط هستند؛ از این رو خرید قطعات اصلی و اورجینال از منابع معتبر اهمیت حیاتی دارد. قطعات بازسازیشده یا غیراورجینال در زیر بار به سرعت آسیب دیده و هزینههای تعمیرات سنگینی به بار میآورند. فروشگاه توکل الکترونیک به عنوان مرجع تخصصی تامین قطعات الکترونیک قدرت در بازار، پارتنامبر اصلی BSM35GB120DN2 برند اینفینئون آلمان را با تضمین اصالت تراشه سیلیکون عرضه میکند.
با توجه به نوسانات بازار و تغییرات موجودی، جهت دریافت قیمت روز BSM35GB120DN2 و مشاوره فنی پیش از خرید، با کارشناسان فنی ما در فروشگاه توکل الکترونیک تماس حاصل فرمایید.
برای دسترسی به تجهیزات تعمیراتی، از دستهبندی ابزارآلات و قطعات الکترونیک فروشگاه توکل الکترونیک دیدن فرمایید.
جهت بررسی اسناد فنی و دیتای مادر، میتوانید به سایت رسمی شرکت اینفینئون مراجعه نمایید.
| Part Number | BSM35GB120DN2 |
|---|---|
| برند | EUPEC / Infineon |
| مشخصات فنی | 35A-1200V |
ماژول IGBT مدل BSM35GB120DN2
هنوز بررسیای ثبت نشده است.