کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
ماسفت این ماسفت یک ترانزیستور اثر میدان پیوندی سیلیکونی از نوع N-Channel است که برای مدارهای تقویتکننده کمنویز، تقویتکننده کنترل تُن و مدارهای تقویت با امپدانس ورودی بالا در کاربردهای DC تا AC به کار میرود. این قطعه برای طراحانی مناسب است که در انتخاب خود به رفتار کمنویز، ظرفیتهای خازنی ورودی و مشخصات گیت توجه دارند.
در انتخاب این ماسفت، تطبیق دقیق پارتنامبر با قطعه موردنیاز اهمیت دارد. مشخصات جریان IDSS این قطعه در بازه 0.3 تا 6.5 میلیآمپر، در شرایط VDS=10 V و VGS=0 و دمای Ta=25°C، بیان شده است. ولتاژ pinch-off نیز در بازه 0.4- تا 5.0- ولت قرار دارد؛ بنابراین شرایط تست را هنگام مقایسه با طراحی خود در نظر بگیرید.
– ساختار سیلیکونی N-Channel junction FET – مناسب برای پیشتقویتکنندههای کمنویز و تقویتکنندههای کنترل تُن – جریان IDSS برابر 0.3 تا 6.5 mA در شرایط مشخصشده – ترارسانایی مستقیم حداقل 1.2 mS – ظرفیت ورودی معمولی 8.2 pF و ظرفیت انتقال معکوس معمولی 2.6 pF – نویز معمولی 0.5 dB و حداکثر مقدار مشخصشده 5.0 dB در شرایط آزمون دیتاشیت
مقادیر جدول زیر فقط برای پارامترهایی ارائه شدهاند که در مشخصات فنی قطعه وجود دارند. اعداد دارای شرط آزمون هستند و نباید بدون توجه به آن شرایط، بهعنوان مقدار ثابت در همه مدارها تفسیر شوند.
| پارامتر | مقدار | شرایط آزمون |
|---|---|---|
| نوع کانال | سیلیکونی N-Channel junction FET | — |
| جریان IDSS | 0.3 تا 6.5 mA | VDS=10 V، VGS=0، Ta=25°C |
| ولتاژ pinch-off | 0.4- تا 5.0- V | VDS=10 V، ID=0.1 μA، Ta=25°C |
| ترارسانایی مستقیم | حداقل 1.2 mS | VDS=10 V، VGS=0، f=1 kHz |
| ظرفیت ورودی | معمولی 8.2 pF | VGS=0، VDS=0، f=1 MHz |
| عدد نویز | معمولی 0.5 dB؛ حداکثر 5.0 dB | VDS=15 V، VGS=0، f=120 Hz |
جریان نشتی گیت حداکثر 1.0- نانوآمپر است و با VGS=30- V و VDS=0 در Ta=25°C مشخص شده است. ولتاژ شکست گیت-درین نیز حداقل 50- ولت، با شرایط VDS=0 و IG=100- میکروآمپر، اعلام شده است.
در طراحی، مقادیر مطلق را با مشخصات عملکردی اشتباه نگیرید. حد مجاز ولتاژ گیت-درین 50- ولت، جریان گیت 10 mA و توان تلفاتی 100 mW در Ta=25°C هستند. حداکثر دمای پیوند نیز 125°C است؛ این اعداد محدودیت حفاظتی قطعهاند و بهمعنای شرایط کاری عادی نیستند.
آرایش پایههای قطعه بهصورت 1=Source، 2=Gate و 3=Drain است. پیش از نصب، نقشه مدار و جهت قرارگیری قطعه را با همین ترتیب بررسی کنید. برای انتخاب از میان انواع ماسفت، علاوه بر نوع کانال، مقدار IDSS، ولتاژ pinch-off، سطح نویز و ظرفیتهای خازنی را با نیاز مدار مقایسه کنید.
برای استعلام قیمت و موجودی روز 2SK30A با توکل الکترونیک تماس بگیرید. این قطعه بهصورت فروش تکی و تعدادی عرضه میشود و برای خرید عمده یا تأمین شرکتی، امکان دریافت پیشفاکتور وجود دارد. پیش از ثبت سفارش، بررسی پارتنامبر انجام دهید تا قطعه انتخابشده با نیاز فنی شما مطابقت داشته باشد.
توکل الکترونیک با امکان ارسال به سراسر کشور و حضور فیزیکی در بازار جمهوری تهران، سفارش قطعات الکترونیکی را پیگیری میکند. ضمانت اصالت کالا نیز در فرایند خرید ارائه میشود.
2SK30A یک ترانزیستور اثر میدان پیوندی سیلیکونی از نوع N-Channel است و برای پیشتقویتکنندههای کمنویز، تقویتکنندههای کنترل تُن و مدارهای با امپدانس ورودی بالا کاربرد دارد.
ترتیب پایهها شامل پایه 1 برای Source، پایه 2 برای Gate و پایه 3 برای Drain است. این ترتیب را پیش از نصب با مدار و نحوه قرارگیری قطعه تطبیق دهید.
بله. عدد نویز معمولی 0.5 dB و حداکثر مقدار مشخصشده 5.0 dB است؛ البته این مقادیر در شرایط آزمون تعیین شدهاند و باید با شرایط واقعی مدار مقایسه شوند.
2SK30A یک ماسفت N-Channel با مشخصات تعریفشده برای تقویت سیگنال، مدارهای کمنویز و ورودیهای با امپدانس بالا است. هنگام سفارش، پارتنامبر، ترتیب پایهها و پارامترهای کلیدی مانند IDSS، pinch-off و نویز را بررسی کنید. برای اطلاع از قیمت و موجودی روز و ثبت سفارش، با توکل الکترونیک در ارتباط باشید.
| Part Number | 2SK30A |
|---|---|
| پکیج | 1=Source; 2=Gate; 3=Drain |
| Channel Type | N-Channel |
درمورد این محصول دیدگاه درج کنید.

ماسفت 2SK30A

هنوز بررسیای ثبت نشده است.