پشتیبانی 24 ساعته
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
IRF7380 یک ماسفت قدرت HEXFET از شرکت International Rectifier است که برای مبدل‌های DC-DC با فرکانس بالا در نظر گرفته شده است. این قطعه در پکیج SO-8 هشت‌پایه عرضه میشود و برای طراحی‌هایی مناسب است که انتخاب دقیق پکیج، ولتاژ کاری و رفتار گیت در آن‌ها اهمیت دارد.
کاربرد اعلام‌شده برای این ماسفت، مبدل‌های DC-DC با فرکانس بالا است. پکیج SO-8 و ساختار هشت‌پایه هم از اطلاعات مهم هنگام بررسی این قطعه برای بردهای الکترونیکی است. اطلاعات نصب و جانمایی باید با نمای بالای پکیج و طراحی برد موردنظر تطبیق داده شود.
برای مشاهده مدل‌های بیشتر و مقایسه گزینه‌های موجود، خرید ماسفت را بررسی کنید.
ولتاژ شکست درین به سورس حداقل 80 V است. این مقدار در شرایط VGS = 0 V، جریان ID برابر 250 µA و دمای اتصال TJ برابر 25°C مشخص شده است. مقاومت روشن درین به سورس نیز 61 mΩ به‌صورت تیپیک و 73 mΩ به‌صورت حداکثر است؛ این مشخصه در VGS = 10 V، جریان ID برابر 2.2 A و TJ برابر 25°C اعلام شده است.
ولتاژ آستانه گیت از 2.0 V حداقل تا 4.0 V حداکثر است. بار کل گیت 15 nC به‌صورت تیپیک و 23 nC به‌صورت حداکثر اعلام شده و شرایط اندازه‌گیری آن ID برابر 2.2 A و TJ برابر 25°C است.
| پارامتر | مقدار | شرایط مهم |
|---|---|---|
| پکیج | SO-8، 8 پایه | نمای بالای پکیج |
| ولتاژ شکست درین-سورس | حداقل 80 V | VGS = 0 V، ID = 250 µA، TJ = 25°C |
| مقاومت روشن درین-سورس | 61 mΩ تیپیک، 73 mΩ حداکثر | VGS = 10 V، ID = 2.2 A، TJ = 25°C |
| ولتاژ آستانه گیت | 2.0 V حداقل تا 4.0 V حداکثر | VDS = VGS، ID = 250 µA، TJ = 25°C |
| بار کل گیت | 15 nC تیپیک، 23 nC حداکثر | ID = 2.2 A، TJ = 25°C |
ظرفیت خروجی مؤثر 140 pF به‌صورت تیپیک و در بازه VDS از 0 V تا 64 V، با VGS = 0 V و TJ برابر 25°C مشخص شده است. این داده برای بررسی رفتار ظرفیت خروجی در تحلیل مدار قابل استفاده است.
افت ولتاژ مستقیم دیود بدنه حداکثر 1.3 V است؛ این مقدار در TJ برابر 25°C، جریان IS برابر 2.2 A و VGS = 0 V تعیین شده است. زمان بازیابی معکوس دیود بدنه نیز 50 ns به‌صورت تیپیک، در TJ برابر 25°C، جریان IF برابر 2.2 A و VDD برابر 40 V است.
مقادیر VDS برابر 80 V و VGS برابر ±20 V در بخش حدود مجاز مطلق قرار دارند. جریان پیوسته درین حداکثر 3.6 A در دمای 25°C و VGS = 10 V، و حداکثر 2.9 A در دمای 100°C و VGS = 10 V است. جریان پالسی حداکثر 29 A و محدوده دمای اتصال از −55°C تا +150°C نیز حدود مجاز مطلق هستند و نباید به‌عنوان شرایط کار عادی در نظر گرفته شوند.
پیش از ثبت سفارش، پارت‌نامبر و پکیج SO-8 را با برد یا طراحی خود تطبیق دهید. امکان بررسی پارت‌نامبر قبل از سفارش وجود دارد و توکل الکترونیک در بازار جمهوری تهران نیز حضور فیزیکی دارد.
این قطعه در پکیج SO-8 هشت‌پایه عرضه میشود. هنگام انتخاب، پکیج و جانمایی موردنیاز برد را با اطلاعات قطعه تطبیق دهید.
بله، کاربرد اعلام‌شده آن مبدل‌های DC-DC با فرکانس بالا است. انتخاب نهایی باید با ولتاژ، جریان، شرایط درایو گیت و سایر نیازهای مدار مقایسه شود.
IRF7380 یک ماسفت قدرت HEXFET در پکیج SO-8 است که برای مبدل‌های DC-DC با فرکانس بالا در نظر گرفته شده و مشخصاتی مانند ولتاژ شکست حداقل 80 V، مقاومت روشن 61 mΩ تیپیک و بار کل گیت 15 nC تیپیک دارد. برای ثبت سفارش، تعداد موردنیاز و پارت‌نامبر را با توکل الکترونیک در میان بگذارید تا قیمت و موجودی روز اعلام شود.
| Part Number | IRF7380 |
|---|---|
| پکیج | SOIC |
| مشخصات فنی | VDS: 80 V, ID: 3.6 A |
ماسفت IRF7380
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.