پشتیبانی 24 ساعته
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
این ماسفت قدرت کانال N از برند Samsung، برای مدارهایی که به سوئیچینگ قدرت نیاز دارند، گزینه‌ای قابل بررسی است. پیش از سفارش، پارت‌نامبر، شرایط کاری مدار و مقادیر دیتاشیت را با نیاز طراحی خود تطبیق دهید.
در انتخاب این قطعه، باید تفاوت میان مقادیر کاری و حداکثر مطلق را در نظر گرفت. ولتاژ درین-سورس 600 ولت یک حد مطلق است و نباید آن را ولتاژ کاری عادی در نظر گرفت. جریان پیوسته 4 آمپر در دمای بدنه 25 درجه سانتی‌گراد هم مقدار حداکثری اعلام‌شده است و انتخاب نهایی باید با توجه به شرایط واقعی مدار، دفع حرارت و حاشیه اطمینان انجام شود.
| پارامتر | مقدار | شرایط یا توضیح |
|---|---|---|
| نوع قطعه | ماسفت قدرت کانال N | — |
| مقاومت روشن درین-سورس | حداکثر 1.2 Ω | VGS=10 V، ID=3.5 A |
| ولتاژ آستانه گیت | 2.0 تا 4.5 V | VDS=VGS، ID=250 µA |
| ظرفیت ورودی | معمولاً 1600 pF | VGS=0 V، VDS=25 V، f=1.0 MHz |
| تأخیر روشن‌شدن | معمولاً 25 ns | شرایط آزمون مشخص‌شده |
| زمان خیز | معمولاً 55 ns | شرایط آزمون مشخص‌شده |
مقاومت روشن درین-سورس این قطعه حداکثر 1.2 اهم است و این مقدار در VGS برابر 10 ولت و جریان درین 3.5 آمپر مشخص شده است. بنابراین، مقایسه آن با قطعات دیگر باید در شرایط گیت و جریان مشابه انجام شود. ولتاژ آستانه گیت نیز بین 2.0 تا 4.5 ولت اعلام شده و به‌تنهایی به معنی روشن‌شدن کامل ماسفت در هر سطح منطقی نیست.
ظرفیت ورودی معمولاً 1600 پیکوفاراد است. این پارامتر همراه با مشخصات درایور گیت، روی سرعت شارژ گیت و رفتار سوئیچینگ اثر می‌گذارد. زمان‌های سوئیچینگ اعلام‌شده شامل تأخیر روشن‌شدن 25 نانوثانیه، زمان خیز 55 نانوثانیه، تأخیر خاموش‌شدن 80 نانوثانیه و زمان افت 50 نانوثانیه هستند. این اعداد به شرایط آزمون وابسته‌اند و برای برآورد اولیه عملکرد مناسب‌اند، نه برای نتیجه‌گیری قطعی درباره همه مدارها.
SSS7N60 برای مدارهایی مطرح است که به یک ماسفت قدرت کانال N نیاز دارند. نوع کانال، پارت‌نامبر و مشخصات گیت باید با طراحی شما هماهنگ باشد. در بخش دیود بدنه، زمان بازیابی معکوس معمولاً 450 نانوثانیه و حداکثر 940 نانوثانیه اعلام شده است؛ این مشخصه در مدارهایی که جریان از مسیر دیود بدنه عبور می‌کند یا خاموش و روشن‌شدن متناوب دارند، اهمیت بیشتری دارد.
حداکثر مطلق ولتاژ گیت-سورس ±20 ولت است. محدوده دمای پیوند برای کارکرد و نگهداری از منفی 55 تا مثبت 150 درجه سانتی‌گراد اعلام شده و توان تلفاتی کل نیز 42 وات در دمای بدنه 25 درجه سانتی‌گراد است. این موارد حد مجاز هستند و برای طراحی واقعی باید گرما، تهویه، هیت‌سینک و شرایط نصب جداگانه بررسی شوند.
پیش از سفارش، ابعاد و نصب مکانیکی، آرایش پایه‌ها و شرایط حرارتی را با نمونه موجود در مدار خود تطبیق دهید؛ اطلاعات نصب و پکیج در مشخصات فعلی این محصول ارائه نشده است. اگر برای انتخاب از میان انواع ماسفت نیاز به مقایسه دارید، پارت‌نامبر و پارامترهای کلیدی مدار را با فروشنده مطرح کنید.
برای استعلام قیمت و موجودی روز این ماسفت با توکل الکترونیک تماس بگیرید. امکان فروش تکی و تعدادی، خرید عمده و تأمین شرکتی و دریافت پیش‌فاکتور وجود دارد. این مجموعه ضمانت اصالت کالا، ارسال به سراسر کشور و حضور فیزیکی در بازار جمهوری تهران را ارائه می‌کند.
SSS7N60 یک ماسفت قدرت کانال N از برند Samsung است. برای انتخاب آن باید نوع کانال، شرایط گیت، جریان مدار و ولتاژ موردنیاز طراحی بررسی شود.
خیر. 600 ولت برای ولتاژ درین-سورس، مقدار حداکثر مطلق است و نباید بدون حاشیه اطمینان به‌عنوان ولتاژ کاری عادی استفاده شود.
SSS7N60 یک ماسفت قدرت کانال N با مقاومت روشن درین-سورس حداکثر 1.2 اهم، ظرفیت ورودی معمولاً 1600 پیکوفاراد و مشخصات زمانی نانوثانیه‌ای است. برای دریافت قیمت، بررسی موجودی و ثبت سفارش، مشخصات پارت‌نامبر و تعداد موردنیاز را برای توکل الکترونیک ارسال کنید.
| Part Number | SSS7N60 |
|---|---|
| Channel Type | N-Channel |
| مشخصات فنی | ID: 4.0 A |
ماسفت SSS7N60
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.