پشتیبانی 24 ساعته
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
IRF6617 محصول Infineon Technologies و یک ماسفت قدرت HEXFET است که برای مبدل‌های DC-DC هسته پردازنده معرفی شده است. در انتخاب این قطعه، سطح تحریک گیت، مقاومت روشن و فضای نصب روی برد را باید هم‌زمان در نظر گرفت.
مقادیر الکتریکی این ماسفت در شرایط آزمون مشخص اندازه‌گیری شده‌اند؛ بنابراین بهتر است اعداد را در همان شرایط مقایسه کنید و آن‌ها را به‌عنوان محدوده کار عادی مدار در نظر نگیرید.
مهم‌ترین اطلاعات این قطعه برای مقایسه و انتخاب در جدول زیر آمده است:
| پارامتر | مقدار |
|---|---|
| نوع قطعه | HEXFET Power MOSFET |
| پکیج | DirectFET ST |
| اثرانگشت پکیج | MICRO-8 |
| پروفایل پکیج | کمتر از 0.7 mm |
| حداقل ولتاژ شکست Drain-to-Source | 30 V در VGS = 0 V، ID = 250 µA و TJ = 25°C |
| مقاومت روشن Drain-to-Source | حداکثر 8.1 mΩ در VGS = 10 V و ID = 15 A |
| شارژ کل گیت | معمولاً 11 nC در TJ = 25°C |
مقاومت روشن Drain-to-Source در شرایط VGS = 4.5 V و ID = 12 A، حداکثر 10.3 mΩ است. این دو مقدار به سطح تحریک گیت وابسته‌اند؛ بنابراین هنگام ارزیابی مدار، ولتاژ درایو گیت را با شرایط آزمون همان مقدار مقایسه کنید.
ولتاژ آستانه گیت از 1.35 تا 2.35 V است؛ این بازه در شرایط VDS = VGS، جریان ID برابر 250 µA و دمای TJ برابر 25°C اعلام شده است. ولتاژ آستانه به‌تنهایی نشان‌دهنده روشن‌شدن کامل قطعه در جریان کاری مدار نیست.
پکیج DirectFET ST دارای footprint در اندازه MICRO-8 و پروفایلی کمتر از 0.7 میلی‌متر است. برای طراحی برد، الگوی PCB و روش نصب را با مستندات فنی پروژه تطبیق دهید؛ نام پکیج به‌تنهایی جایگزین بررسی اتصال‌ها و ابعاد واقعی برد نمی‌شود.
کاربرد این ماسفت، مبدل‌های DC-DC هسته پردازنده است. برای بررسی تناسب آن، ولتاژ مدار، سطح تحریک گیت، جریان موردنیاز و اثر مقاومت روشن را کنار هم بسنجید. زمان تأخیر روشن‌شدن معمولی 11 ns است؛ این مقدار در VDD = 16 V، VGS = 4.5 V، ID = 12 A، بار القایی کلمپ‌شده و TJ = 25°C مشخص شده است.
زمان بازیابی معکوس دیود بدنه نیز به‌طور معمول 16 ns است و در TJ = 25°C و IF = 12 A ارائه شده است. این اعداد برای مقایسه شرایط سوئیچینگ در آزمون مربوط کاربرد دارند و نتیجه نهایی به شرایط کامل مدار وابسته است.
ولتاژ شکست Drain-to-Source حداقل 30 V در VGS = 0 V، ID = 250 µA و TJ = 25°C است. همچنین مقدار 30 V به‌عنوان حداکثر ولتاژ Drain-to-Source در رده Absolute Maximum Rating آمده است؛ این دو عنوان را نباید با یکدیگر یا با محدوده کاری پیشنهادی یکسان دانست. جریان‌های 14 A در TA = 25°C و 55 A در TC = 25°C نیز حد مجاز مطلق هستند، نه جریان کاری تضمین‌شده. بازه دمای پیوند 40- تا 150+ درجه سلسیوس هم در همین گروه قرار دارد.
برای مقایسه قطعات این گروه، عبارت مشاهده ماسفت را دنبال کنید و پیش از مونتاژ، پارت‌نامبر و الگوی نصب موردنیاز را بررسی کنید.
برای خرید IRF6617، استعلام قیمت و موجودی روز، ثبت سفارش یا دریافت پیش‌فاکتور با توکل الکترونیک در ارتباط باشید. ضمانت اصالت کالا مطابق شرایط فروشگاه ارائه میشود.
پکیج این قطعه DirectFET ST است، footprint آن MICRO-8 اعلام شده و پروفایل آن کمتر از 0.7 میلی‌متر است.
حداکثر مقاومت روشن Drain-to-Source برابر 8.1 mΩ در VGS = 10 V و ID = 15 A است. در VGS = 4.5 V و ID = 12 A، مقدار حداکثر 10.3 mΩ اعلام شده است.
این ماسفت قدرت HEXFET با پکیج DirectFET ST، footprint مدل MICRO-8، پروفایل کمتر از 0.7 میلی‌متر و شارژ کل گیت معمولی 11 nC است. اگر این پارت‌نامبر برای مدار شما مناسب است، برای استعلام قیمت، موجودی، بررسی شماره فنی و دریافت پیش‌فاکتور با توکل الکترونیک در ارتباط باشید.
| Part Number | IRF6617 |
|---|---|
| پکیج | DirectFET ST |
| مشخصات فنی | VDS: 30 V, ID: 14 A |
ماسفت IRF6617
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.