09120130796
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در محل تحویل پرداخت نمایید.
اصالت و سلامت فیزیکی کلیه محصولات توسط کارشناسان ما بررسی و تایید میشود.
در مهندسی الکترونیک قدرت و سیستمهای درایو موتور سنگین، ماژولهای دوبل نقش کلیدی در ساخت بازوهای پل اینورتر ایفا میکنند. ماژول آیجیبیتی BSM50GB120DN2 ساخت شرکت معتبر یوپک آلمان (Eupec که امروزه زیرمجموعه برند اصلی Infineon است)، یک نیمههادی قدرت بسیار محبوب، سختکار و پرکاربرد در کلاس ولتاژ 1200V و جریان نامی مداوم 50A است.
معماری داخلی این قطعه بر پایه توپولوژی نیمپُل یا دوبل (Half-Bridge) استوار است و دو ترانزیستور IGBT مجزا را به همراه دو دیود فریویلینگ فوقسریع در یک پکیج استاندارد صنعت برق به نام HALF-BRIDGE 1 تجمیع کرده است. ویژگی متمایز پارتنامبر BSM50GB120DN2، جریاندهی نامی فوقالعاده آن است؛ این چیپ در دمای کفی ۲۵ درجه سانتیگراد میتواند تا ۷۸ آمپر جریان مداوم DC و در زمانهای پالسی تا ۱۵۶ آمپر را بدون آسیب تحمل کند. بیسپلیت فلزی عایقبندی شده این قطعه، فرآیند دفع حرارت را به هیتسینک مشترک تسهیل کرده و ایمنی بورد را بالا میبرد. برای مهندسینی که به دنبال بازدهی بالا و اصالت قطعه هستند، خرید BSM50GB120DN2 انتخابی پایدار است.
بر اساس اطلاعات استخراجشده از سند تخصصی این قطعه، دادههای فنی کالا در قالب جدول زیر دستهبندی شده است:
| پارامترهای الکتریکی، حرارتی و مکانیکی | نماد فنی | مقادیر مستند کاتالوگ | شرایط سنجش آزمایشگاهی |
| کد فنی دقیق کالا | BSM50GB120DN2 | مشخصه کانون قطعه | مستند به دیتای رسمی کاتالوگ یوپک |
| ولتاژ کلکتور – امیتر مجاز | VCE | 1200V | حداکثر ولتاژ سدکننده تراشه |
| جریان مداوم کلکتور (دمای 25 درجه) | IC | 78A | جریان DC در دمای کفی ۲۵ درجه |
| جریان مداوم کلکتور (دمای 80 درجه) | IC | 50A | جریان DC در دمای کفی ۸۰ درجه |
| جریان پالسی کلکتور | ICpuls | 156A | دمای کفی ۲۵ درجه و زمان پالس ۱ میلیثانیه |
| توان کل تلفاتی هر ترانزیستور | Ptot | 415W | دمای کفی کالا TC = 25 درجه سانتیگراد |
| ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (دمای اتاق) | VCE(sat) | 2.5V | مشخصه معمولی در جریان نامی ۵۰ آمپر |
| ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (دمای کاری) | VCE(sat) | 3.1V | در دمای کاری ۱۲۵ درجه سانتیگراد |
| ولتاژ آستانه گیت – امیتر | VGE(th) | 4.5 – 6.5 V | VGE = VCE, IC = 2 mA |
| ولتاژ فوروارد دیود هرزگرد | VF | 2.0V | جریان نامی ۵۰ آمپر دیود داخلی |
| مقاومت حرارتی تراشه به بدنه | RthJC | کوچکتر یا مساوی 0.30 K/W | مخصوص بخش ترانزیستور IGBT |
| ولتاژ تست ایزولاسیون عایق | Vis | 2500 V | مدت زمان تست ۱ دقیقه |
طراحی صلب و پایداری فرکانسی مدل BSM50GB120DN2، آن را برای استفاده در سیستمهای زیر بسیار ایدهآل کرده است:
اینورترهای کنترل دور موتور (VFD): به عنوان واحد سوئیچینگ اصلی در درایوهای فرکانسی موتورهای سه فاز صنعتی با توان متوسط.
سروو درایوهای AC و DC: بخش قدرت خروجی سیستمهای کنترل دقیق موقعیت در اتوماسیون کارخانجات.
منابع تغذیه بدون وقفه (UPS): ساخت و تعمیر بخش اینورتر موج سینوسی سیستمهای برق اضطراری دیتاسنترها.
رکتیفایرهای جوشکاری و برش اینورتری: چوپرهای قدرت و بردهای اصلی دستگاههای جوشکاری زیر بار سنگین.
۱. تحمل فوقالعاده توان تلفاتی: برخورداری از توان کل ۴۱۵ وات به ازای هر ترانزیستور، پایداری استثنایی قطعه را در زیر بارهای ضربهای و نوسانات شدید موتور تضمین میکند.
۲. پکیج نیمپُل استاندارد: پکیج HALF-BRIDGE 1 با طراحی پایههای گامبندی شده، روند طراحی خطوط بورد چاپی (PCB) را بسیار ساده و بهینه میکند.
۳. دیودهای فریویلینگ فوقسریع: مجهز به دیودهای فرکانسی داخلی با ولتاژ فوروارد پایین و زمان بازیابی معکوس بسیار ناچیز که تلفات سوییچینگ را به حداقل میرسانند.
با تحلیل نمودارهای کاتالوگ رسمی این قطعه، ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر کالا BSM50GB120DN2 در جریان نامی ۵۰ آمپر و دمای اتاق ۲.۵ ولت است. با گرم شدن مغز سیلیکونی و رسیدن به دمای کاری ۱۲۵ درجه سانتیگراد، این ولتاژ به ۳.۱ ولت افزایش مییابد. وجود این ضریب دمایی مثبت در دماهای بالا، یک مزیت فنی بزرگ برای طراحان بورد محسوب میشود؛ زیرا در صورت نیاز به موازیسازی چند ماژول جهت دستیابی به جریانهای بالاتر، جریان به صورت خودکار بین آنها متعادل شده و ریسک پدیده فرار حرارتی یا سوختن موضعی یکی از شاخهها کاملاً از بین میرود.
💡 نکات کلیدی نصب و راهاندازی BSM50GB120DN2:
یکنواختی لایه خمیر سیلیکون: با توجه به مقاومت حرارتی تراشه به بدنه، حتماً از خمیر سیلیکون صنعتی با ضریب انتقال حرارت بالا به صورت یکنواخت و بسیار نازک استفاده کنید. ضخامت بیش از حد خمیر، مانند یک عایق حرارتی عمل کرده و باعث انباشت حرارت و سوختن موضعی قطعه میشود.
تنظیم دقیق مقاومت گیت: مقاومت گیت پیشنهادی در دیتای رسمی کاتالوگ ۲۷ اهم ذکر شده است. کاهش بیش از حد این مقدار نویز الکترومغناطیسی (EMI) را بالا برده و افزایش آن تلفات سوییچینگ را به شدت تشدید میکند.
ملاحظات الکتریسیته ساکن (ESD): خازن ورودی گیت ترانزیستورهای این ماژول به الکتریسیته ساکن بدن بسیار حساس است؛ در زمان نگهداری در انبار یا فرآیند مونتاژ، تا زمان اتصال قطعی به برد درایور، از دست زدن مستقیم به پایههای فرمان ماژول BSM50GB120DN2 بدون تجهیزات آنتیاستاتیک خودداری فرمایید.
نیمههادیهای قدرت به دلیل کارکرد در ولتاژها و جریانهای بالا، مستقیماً با سلامت و طول عمر کل بورد دستگاه در ارتباط هستند. استفاده از قطعات تقلبی، فیک یا استوکِ فرسوده میتواند منجر به انفجار ماژول و آسیبهای سنگین به بخش کنترلر مرکزی و بردهای درایور گیت شود. فروشگاه توکل الکترونیک با تمرکز تخصصی بر تامین قطعات الکترونیک قدرت، پارتنامبر اصلی و اورجینال BSM50GB120DN2 برند یوپک/اینفینئون آلمان را با تضمین اصالت تراشه سیلیکون عرضه میکند.
با توجه به تغییرات موجودی انبار و نوسانات نرخ ارز، جهت دریافت قیمت روز BSM50GB120DN2، مشاوره فنی تخصصی و هماهنگی ارسال، میتوانید با کارشناسان فنی ما در فروشگاه توکل الکترونیک تماس حاصل فرمایید.
برای دسترسی به تجهیزات تعمیراتی، از دستهبندی ابزارآلات و قطعات الکترونیک فروشگاه توکل الکترونیک دیدن فرمایید.
جهت بررسی اسناد فنی و دیتای مادر، میتوانید به سایت رسمی شرکت اینفینئون مراجعه نمایید.
| Part Number | BSM50GB120DN2 |
|---|---|
| برند | EUPEC / Infineon |
| مشخصات فنی | 50A-1200V |
ماژول IGBT مدل BSM50GB120DN2
هنوز بررسیای ثبت نشده است.