کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
ماژول IGBT FP35R12KT4_B15 از محصولات Infineon Technologies، یک ماژول EconoPIM2 با فناوری Trench/Fieldstop IGBT4 و دیود Emitter Controlled 4 است. این قطعه برای پروژههایی که به ماژول قدرت با ساختار یکپارچه و مشخصات سوئیچینگ نیاز دارند، قابل بررسی است.
این ماژول برای اینورترهای کمکی، کاربردهای پزشکی، درایو موتور و سروو درایو در نظر گرفته شده است. وجود ترمیستور NTC داخلی با مقاومت نامی 5.00 kΩ در دمای 25°C نیز برای پایش دما اهمیت دارد.
مهمترین مشخصات این مدل در جدول زیر آمده است:
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| فناوری | EconoPIM2؛ Trench/Fieldstop IGBT4؛ Emitter Controlled 4 |
| دمای اتصال در شرایط سوئیچینگ | -40 تا 150°C |
| VCEsat | 1.85 V معمولی؛ 2.15 V حداکثر |
| مقاومت نامی NTC | 5.00 kΩ در TC = 25°C |
| ساختار مکانیکی | صفحه پایه مسی؛ کنتاکت لحیمی؛ محفظه استاندارد |
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر VCEsat برابر 1.85 V بهصورت معمولی و 2.15 V بهصورت حداکثر است. این مقادیر در IC = 35 A، VGE = 15 V و Tvj = 25°C مشخص شدهاند. ولتاژ آستانه گیت VGEth نیز در Tvj = 25°C، حداقل 5.2 V، معمولی 5.8 V و حداکثر 6.4 V است.
انرژی تلفات روشنشدن Eon برابر 4.60 mJ معمولی و انرژی تلفات خاموششدن Eoff برابر 3.10 mJ معمولی است؛ هر دو مقدار در Tvj = 125°C ارائه شدهاند. شرایط آزمون Eon شامل IC = 35 A، VCE = 600 V، LS = 20 nH، VGE = ±15 V، di/dt = 1500 A/µs و RGon = 13 Ω است. برای Eoff، شرایط شامل IC = 35 A، VCE = 600 V، LS = 20 nH، VGE = ±15 V، du/dt = 3600 V/µs و RGoff = 13 Ω است.
مقدار VCES برابر 1200 V در Tvj = 25°C است. ولتاژ معکوس تکرارشونده دیود اینورتر VRRM نیز 1200 V در Tvj = 25°C و ولتاژ معکوس تکرارشونده دیود یکسوساز 1600 V در همین دما اعلام شده است. این موارد در گروه حدود مطلق قرار میگیرند و نباید بهعنوان شرایط کاری عادی یا حاشیه ایمنی طراحی در نظر گرفته شوند.
جریان کلکتور DC پیوسته نامی IC nom برابر 35 A با TC = 100°C و حداکثر Tvj = 175°C است. جریان پیک تکرارشونده کلکتور ICRM برابر 70 A برای پالس tp = 1 ms و جریان DC پیوسته دیود اینورتر IF برابر 35 A است. ولتاژ پیک گیت-امیتر VGES برابر ±20 V نیز یک حد مطلق محسوب میشود.
برای بررسی گزینههای مرتبط، عبارت مشاهده ماژول IGBT را دنبال کنید.
FP35R12KT4_B15 برای اینورترهای کمکی، تجهیزات پزشکی، درایو موتور و سروو درایو در نظر گرفته شده است. ساختار مکانیکی آن شامل صفحه پایه مسی، فناوری اتصال لحیمی و محفظه استاندارد است.
ترمیستور NTC داخلی دارای مقاومت نامی R25 برابر 5.00 kΩ در TC = 25°C است. محدوده دمای اتصال در شرایط سوئیچینگ نیز -40 تا 150°C اعلام شده است.
برای خرید FP35R12KT4_B15، استعلام قیمت و موجودی روز، ثبت سفارش یا دریافت پیشفاکتور با توکل الکترونیک در ارتباط باشید. ضمانت اصالت کالا مطابق شرایط فروشگاه ارائه میشود.
این مدل با فناوری EconoPIM2، مشخصات Trench/Fieldstop IGBT4، دیود Emitter Controlled 4، NTC داخلی و ساختار مکانیکی مشخص، برای کاربردهای اعلامشده قابل بررسی است. پیش از خرید، ولتاژها و جریانهای موردنیاز مدار، شرایط آزمون پارامترها و حدود مطلق را جداگانه ارزیابی کنید. برای سفارش یا پیگیری حضوری، توکل الکترونیک در بازار جمهوری تهران نیز در دسترس است.
این ماژول برای اینورترهای کمکی، کاربردهای پزشکی، درایو موتور و سروو درایو در نظر گرفته شده است.
خیر. مقدار 1200 V برای VCES و دیود اینورتر در گروه حدود مطلق قرار دارد و نباید بهعنوان مشخصه کار عادی یا حاشیه ایمنی طراحی تفسیر شود.
| Part Number | FP35R12KT4_B15 |
|---|
درمورد این محصول دیدگاه درج کنید.

ماژول IGBT مدل FP35R12KT4_B15

هنوز بررسیای ثبت نشده است.