کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
IRF130 یک ماسفت توان کانال N از نوع Enhancement-Mode از Fairchild Semiconductor است. این قطعه برای مدارهای سوئیچینگ و توان، بهویژه در کاربردهایی که نوع عملکرد، ظرفیت جریان و شرایط راهاندازی گیت اهمیت دارند، گزینهای قابل توجه است.
پکیج این قطعه TO-204AA است؛ بنابراین هماهنگی نصب مکانیکی و شرایط دفع حرارت مدار با این case style اهمیت دارد. تطبیق دقیق پارتنامبر و پکیج پیش از سفارش، از انتخاب قطعهای با مشخصات متفاوت جلوگیری میکند.
مهمترین اطلاعات انتخاب شامل ریتینگ ولتاژ Drain-to-Source برابر 100 V، مقاومت استاتیک Drain-to-Source در حالت روشن برابر 0.18 Ω و جریان Drain برابر 14 A در دمای کیس 25 °C است. جریان Drain در دمای کیس 100 °C برابر 9.0 A اعلام شده و این شرط باید در ارزیابی مدار در نظر گرفته شود.
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| نوع عملکرد | N-channel، Enhancement-Mode power MOSFET |
| ریتینگ Drain-to-Source | 100 V |
| مقاومت روشن استاتیک | 0.18 Ω |
| جریان Drain در TC = 25 °C | 14 A |
| جریان Drain در TC = 100 °C | 9.0 A |
| پکیج | TO-204AA |
ولتاژ آستانه گیت از 2.0 V حداقل تا 4.0 V حداکثر مشخص شده است. این مقدار در شرایط ID = 250 μA و VDS = VGS اندازهگیری شده و نباید بدون توجه به شرایط آزمون، بهعنوان ولتاژ راهاندازی کامل در نظر گرفته شود.
مقاومت روشن حداکثر 0.18 Ω در VGS = 10 V و ID = 8.0 A مشخص شده است. بنابراین مقایسه ولتاژ واقعی درایو گیت با شرایط اعلامشده برای این پارامتر، بخش مهمی از بررسی انتخاب قطعه است.
ظرفیت ورودی حداکثر 800 pF در VDS = 25 V، VGS = 0 V و فرکانس 1.0 MHz تعیین شده است. همچنین Total Gate Charge حداکثر 30 nC در VGS = 10 V، ID = 18 A و VDD = 80 V مشخص شده است. این دو مقدار برای بررسی نیازهای درایور گیت و رفتار سوئیچینگ کاربرد دارند و باید همراه با شرایط کاری مدار تفسیر شوند.
خانواده این ماسفت برای کاربردهای توان بالا و سرعت بالا طراحی شده است. منابع تغذیه سوئیچینگ، UPS، کنترل موتورهای AC و DC، درایور رله و سلونوئید و مدارهای پالس با انرژی بالا از کاربردهای اعلامشده برای این خانواده هستند.
ولتاژ شکست Drain-to-Source حداقل 100 V است و این مشخصه با VGS = 0 V و ID = 250 μA بیان شده است. این مقدار برای بررسی حاشیه ولتاژ اهمیت دارد، اما انتخاب نهایی باید با توجه به ولتاژهای مدار، جریان، شرایط حرارتی و گذراهای واقعی انجام شود.
جریان اعلامشده به دمای کیس وابسته است؛ بنابراین مقدار 14 A در TC = 25 °C و مقدار 9.0 A در TC = 100 °C را نباید بدون شرط دمایی با یکدیگر مقایسه کرد. همچنین شرایط آزمون مقاومت روشن و شارژ گیت باید هنگام مقایسه با قطعات دیگر ثابت یا بهدرستی تفسیر شود.
برای استعلام قیمت و موجودی روز IRF130 با توکل الکترونیک تماس بگیرید. فروش تکی و تعدادی، خرید عمده و تأمین شرکتی و امکان دریافت پیشفاکتور فراهم است. این قطعه با ضمانت اصالت کالا عرضه میشود و ارسال به سراسر کشور انجام میگیرد.
پیش از ثبت سفارش، پارتنامبر و پکیج TO-204AA را با نیاز مدار خود تطبیق دهید. برای بررسی گروه محصولات میتوانید عبارت مشاهده ماسفت را دنبال کنید. امکان بررسی پارتنامبر قبل از سفارش و حضور فیزیکی در بازار جمهوری تهران نیز فراهم است.
این قطعه یک ماسفت توان کانال N از نوع Enhancement-Mode است و با پکیج TO-204AA عرضه میشود.
ریتینگ Drain-to-Source برابر 100 V است. ولتاژ شکست حداقل نیز 100 V با شرایط VGS = 0 V و ID = 250 μA مشخص شده است.
جریان Drain در TC = 25 °C برابر 14 A و در TC = 100 °C برابر 9.0 A اعلام شده است. شرط دمای کیس باید هنگام ارزیابی جریان مدار لحاظ شود.
IRF130 یک ماسفت توان کانال N با ریتینگ 100 V، مقاومت روشن 0.18 Ω و پکیج TO-204AA است. جریان Drain، ولتاژ آستانه، ظرفیت ورودی و Total Gate Charge، اطلاعات اصلی برای بررسی آن در مدارهای سوئیچینگ و کنترل توان هستند. برای دریافت قیمت، موجودی روز یا پیشفاکتور، پارتنامبر دقیق و تعداد موردنیاز را به توکل الکترونیک اعلام کنید.
| Part Number | IRF130 |
|---|---|
| پکیج | TO-3 |
| Channel Type | N-Channel |
| مشخصات فنی | VDS: 100 V |
درمورد این محصول دیدگاه درج کنید.

ماسفت IRF130

هنوز بررسیای ثبت نشده است.