09120130796
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
SKM100GAL123D یک ماژول IGBT صنعتی از برند SEMIKRON و خانواده SEMITRANS 2 است که برای کاربردهای سوئیچینگ، چاپرهای DC، اینورترها و مبدلهای قدرت طراحی شده است. ساختار داخلی این محصول شامل یک IGBT کانال N بههمراه یک دیود قدرت سریع از نوع CAL است.
توپولوژی GAL با ساختار نیمپل GB تفاوت دارد. در مدل GB دو IGBT بهصورت نیمپل قرار گرفتهاند، اما در SKM100GAL123D یک کلید IGBT و یک دیود آزادگرد با آرایش مخصوص چاپر وجود دارند. نسخه GAR نیز آرایش الکتریکی معکوس GAL را ارائه میدهد؛ بنابراین جایگزینی میان GAL، GAR و GB تنها با بررسی دقیق مدار داخلی و شماره ترمینالها امکانپذیر است.
ولتاژ کلکتور–امیتر این ماژول 1200 ولت است. دیتاشیت جریان کلکتور را برابر 100 آمپر در دمای کیس 25 درجه و 90 آمپر در دمای کیس 80 درجه سانتیگراد اعلام میکند. جریان 75 آمپر نیز در بسیاری از آزمونهای سوئیچینگ و مشخصات دینامیکی دیتاشیت بهعنوان نقطه مرجع استفاده شده است.
از ویژگیهای مهم این محصول میتوان به ورودی گیت MOS، اندوکتانس داخلی پایین، جریان Tail کم، توانایی تحمل اتصال کوتاه و دیودهای سریع و نرم CAL اشاره کرد. صفحه پایه مسی ایزوله با فناوری DCB نیز انتقال حرارت مناسب و جداسازی الکتریکی مدار قدرت از هیتسینک را فراهم میکند.
برای استعلام قیمت، موجودی و بررسی تطبیق SKM100GAL123D با برد دستگاه، با توکل الکترونیک تماس بگیرید.
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| پارتنامبر | SKM100GAL123D |
| برند | SEMIKRON |
| خانواده | SEMITRANS 2 |
| نوع قطعه | ماژول IGBT چاپر |
| ساختار داخلی | یک IGBT + یک دیود آزادگرد CAL |
| توپولوژی | GAL |
| ولتاژ VCES | 1200V |
| جریان کلکتور | 100A در 25°C / 90A در 80°C |
| جریان پالسی ICM | 200A در 25°C / 180A در 80°C |
| ولتاژ گیت مجاز | ±20V |
| ولتاژ ایزولاسیون | 2500V AC بهمدت یک دقیقه |
| نوع پایه | مسی ایزوله با فناوری DCB |
| نوع کیس | D62 |
| وزن | حدود 160 گرم |
اطلاعات جدول از صفحه اول و نقشه مکانیکی صفحه ششم دیتاشیت دقیق همین خانواده استخراج شدهاند.
خانواده این ماژول در دیتاشیت برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت زیر معرفی شده است:
ساختار SKM100GAL123D بهطور ویژه برای مدارهایی مناسب است که به یک کلید IGBT پرقدرت در کنار دیود آزادگرد نیاز دارند. استفاده در هر دستگاه باید با ولتاژ باس DC، جهت دیود، فرکانس سوئیچینگ، جریان بار و مدار گیت درایور تطبیق داده شود.
برای مشاهده قطعات مشابه، میتوانید دسته خرید IGBT توکل الکترونیک را بررسی کنید.
جهت بررسی اسناد فنی ، میتوانید به سایت رسمی شرکت SEMIKRON مراجعه نمایید
| ساختار | مدار داخلی اصلی |
|---|---|
| GB | نیمپل شامل دو IGBT |
| GAL | یک IGBT و دیود چاپر با آرایش GAL |
| GAR | یک IGBT و دیود چاپر با آرایش معکوس GAL |
در صفحه ششم دیتاشیت، نقشههای داخلی هر سه ساختار نمایش داده شدهاند. نسخه GAL دارای کیس D62 و نسخه GAR دارای کیس D63 است. علاوه بر تفاوت مدار داخلی، شماره ترمینالها و جهت دیود نیز متفاوت است.
بنابراین مدلهای SKM100GB123D و SKM100GAR123D جایگزین مستقیم SKM100GAL123D نیستند. استفاده از نسخه اشتباه ممکن است باعث ایجاد اتصال کوتاه در باس DC، عملکرد معکوس دیود یا آسیب به گیت درایور و ماژول قدرت شود.
پیش از سفارش SKM100GAL123D موارد زیر بررسی شوند:
شباهت ظاهری ماژولهای SEMITRANS برای جایگزینی کافی نیست. حتی در مدلهایی با ولتاژ و جریان مشابه، تفاوت میان GAL، GAR و GB میتواند ساختار داخلی مدار را کاملاً تغییر دهد.
| پارامتر | مقدار |
|---|---|
| VCES | 1200V |
| VCGR | 1200V |
| IC | 100A در 25°C / 90A در 80°C |
| ICM | 200A در 25°C / 180A در 80°C |
| VGES | ±20V |
| توان تلفاتی هر IGBT | 690W در Tc=25°C |
| VGE(th) | 4.5 تا 6.5V |
| VCEsat در IC=75A | تیپیک 2.5V در 25°C |
| VCEsat در IC=100A | تیپیک 2.8V در 25°C |
| td(on) | تیپیک 30ns |
| tr | تیپیک 70ns |
| td(off) | تیپیک 450ns |
| tf | تیپیک 70ns |
| Visol | 2500V AC برای یک دقیقه |
| دمای پیوند | -40 تا +150°C |
دیتاشیت برای خاموشکردن ماژول استفاده از ولتاژ گیت منفی 5- تا 15- ولت را پیشنهاد میکند. مقادیر زمان سوئیچینگ نیز با ولتاژ باس 600 ولت، جریان 75 آمپر و مقاومت گیت 15 اهم اندازهگیری شدهاند.
دیود موجود در SKM100GAL123D از نوع سریع CAL است و طبق توضیح دیتاشیت، مشخصات آن بر اساس دیودهای مدل SKM 150 GB 123 D ارائه شده است.
| پارامتر دیود | مقدار |
|---|---|
| IF | 130A در 25°C / 90A در 80°C |
| IFM | 200A در 25°C / 180A در 80°C |
| IFSM | 1100A برای پالس 10ms |
| VF در IF=75A | تیپیک 1.85V در 25°C |
| VF در IF=100A | تیپیک 2V در 25°C |
| Qrr در IF=75A | تیپیک 3.5µC در 25°C |
| Rthjc دیود | حداکثر 0.36°C/W |
این دیود برای عبور جریان آزادگرد و تخلیه انرژی بارهای القایی استفاده میشود. جهت اتصال آن باید دقیقاً با مدار چاپر دستگاه مطابقت داشته باشد.
یکی از ویژگیهای خانواده SKM100GAL123D، قابلیت تحمل اتصال کوتاه در شرایط محدود دیتاشیت است. سازنده زمان اتصال کوتاه را کمتر از 10 میکروثانیه، دمای پیوند کمتر از 150 درجه و اندوکتانس مسیر را کمتر از 25 نانوهانری مشخص کرده است.
این قابلیت به معنای مصونیت دائمی در برابر اتصال کوتاه نیست. مدار گیت درایور باید بتواند خطا را سریع تشخیص داده و IGBT را با روش کنترلشده خاموش کند. دیتاشیت همچنین تعداد مجاز رخدادهای اتصال کوتاه را کمتر از 1000 بار و فاصله میان خطاها را بیش از یک ثانیه اعلام میکند.
سطح هیتسینک باید صاف، تمیز و بدون پلیسه باشد. خمیر حرارتی قدیمی باید کاملاً پاک شود و یک لایه نازک و یکنواخت از خمیر حرارتی مناسب روی سطح تماس قرار گیرد.
طبق دیتاشیت، گشتاورهای نصب برای SKM100GAL123D به شرح زیر است:
پیش از روشنکردن مدار، موارد زیر بررسی شوند:
این محصول نسبت به تخلیه الکترواستاتیکی حساس است و هنگام جابهجایی باید اصول ESD رعایت شوند.
توکل الکترونیک در زمینه تأمین ماژولهای IGBT، دیودهای قدرت، قطعات SEMITRANS و تجهیزات مبدلهای صنعتی فعالیت میکند.
پیش از خرید SKM100GAL123D امکان بررسی پارتنامبر، توپولوژی GAL، جهت دیود و تطبیق آن با مدار دستگاه وجود دارد. حضور فیزیکی در بازار جمهوری تهران نیز بررسی وضعیت ظاهری، کنترل نوشته روی بدنه و پیگیری سفارش را برای تعمیرکاران و واحدهای صنعتی آسانتر میکند.
SKM100GAL123D یک ماژول IGBT چاپر شامل یک IGBT قدرت و یک دیود سریع آزادگرد است.
خیر. ساختار نیمپل با کد GB شناخته میشود. مدل GAL دارای یک IGBT و یک دیود با آرایش مخصوص چاپر است.
ولتاژ VCES برابر 1200 ولت است. جریان کلکتور در دیتاشیت 100 آمپر در دمای کیس 25 درجه و 90 آمپر در 80 درجه سانتیگراد اعلام شده است.
خیر. نسخه GAR آرایش معکوس GAL را دارد و جهت دیود و شماره ترمینالهای آن متفاوت است.
مشخصات سوئیچینگ با گیت مثبت 15 ولت و خاموشی منفی انجام شدهاند. حداکثر ولتاژ مجاز گیت ±20 ولت است.
خیر. دیتاشیت صراحتاً این خانواده را برای کاربردهای سوئیچینگ معرفی کرده و استفاده خطی را مجاز نمیداند.
مدار گیت درایور، جهت دیود، خازنهای لینک DC، Snubber، حفاظت اتصال کوتاه، بار و سیستم خنککاری باید بررسی شوند.
| Part Number | SKM100GAL123D |
|---|---|
| برند | SEMIKRON |
| مشخصات فنی | 100A-1200V |
ماژول IGBT سمیکرون مدل SKM100GAL123D
هنوز بررسیای ثبت نشده است.