پشتیبانی 24 ساعته
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
ماسفت 2SK1118 از محصولات Toshiba Semiconductor، یک ترانزیستور اثر میدان سیلیکونی کانال N از نوع π-MOS II است. این قطعه برای مبدل‌های DC-DC پرسرعت و جریان‌بالا، درایو رله و درایو موتور کاربرد دارد. ولتاژ درایو گیت آن 4 V است.
پکیج قطعه EIAJ SC-67 است و Toshiba آن را با شناسه 2-10R1B معرفی می‌کند. ترتیب پایه‌ها هم به این صورت است: پایه 1 Gate، پایه 2 Drain و پایه 3 Source.
برای انتخاب این ماسفت، نوع کانال، ولتاژ شکست، مقاومت روشن، مشخصات گیت و پکیج را بررسی کنید. خلاصه مشخصات اصلی در جدول زیر آمده است.
| پارامتر | مقدار |
|---|---|
| نوع قطعه | سیلیکونی، کانال N، π-MOS II |
| ولتاژ درایو گیت | 4 V |
| ولتاژ شکست Drain-Source | حداقل 600 V؛ در ID = 10 mA و VGS = 0 V |
| مقاومت روشن Drain-Source | 0.95 Ω معمولی، 1.25 Ω حداکثر؛ در ID = 3 A و VGS = 10 V |
| پکیج | EIAJ SC-67؛ Toshiba 2-10R1B |
| ترتیب پایه‌ها | 1: Gate، 2: Drain، 3: Source |
مقاومت روشن درین-سورس در شرایط ID = 3 A و VGS = 10 V، مقدار معمولی 0.95 Ω و مقدار حداکثر 1.25 Ω دارد. این شرط آزمون در مقایسه با قطعات دیگر مهم است و نباید آن را به همه شرایط کاری تعمیم داد.
زمان‌های سوئیچینگ نیز در شرایط مشخص‌شده شامل زمان خیز 25 ns معمولی و 50 ns حداکثر، زمان روشن‌شدن 40 ns معمولی و 80 ns حداکثر، زمان سقوط 20 ns معمولی و 40 ns حداکثر و زمان خاموش‌شدن 85 ns معمولی و 170 ns حداکثر است. شرایط آزمون این زمان‌ها شامل ID = 3 A، VDD = 300 V، RL = 100 Ω، زمان خیز و سقوط ورودی کمتر از 5 ns، duty حداکثر 1 درصد و tw = 10 μs است.
این ماسفت برای طراحی‌هایی مناسب است که به قطعه کانال N در مبدل DC-DC پرسرعت و جریان‌بالا، درایو رله یا درایو موتور نیاز دارند. ولتاژ آستانه گیت بین 1.5 V حداقل تا 3.5 V حداکثر، در VDS = 10 V و ID = 1 mA، مشخص شده است.
بار کل گیت 56 nC معمولی و 110 nC حداکثر است؛ این مقادیر در VDD = 400 V، VGS = 10 V و ID = 6 A مشخص شده‌اند. همچنین جریان قطع درین حداکثر 300 μA است، مشروط به VDS = 600 V و VGS = 0 V.
ولتاژ شکست درین-سورس حداقل 600 V اعلام شده است. این مقدار با حد مطلق ولتاژ درین-سورس در Ta = 25°C نیز برابر است و نباید به‌تنهایی به‌عنوان شرایط کار دائمی در نظر گرفته شود. حدود مطلق دیگر شامل جریان درین 6 A DC و 24 A پالسی در Ta = 25°C، ولتاژ گیت-سورس ±30 V در Ta = 25°C و توان تلفاتی درین 45 W در Tc = 25°C هستند.
برای مقایسه با انواع ماسفت، علاوه بر نوع کانال و ولتاژ، مقاومت روشن، بار گیت، پکیج و ترتیب پایه‌ها را هم با نیاز مدار تطبیق دهید.
این قطعه با پکیج EIAJ SC-67 و شناسه Toshiba 2-10R1B معرفی شده است. هنگام ثبت سفارش، نام کامل قطعه و پکیج موردنیاز را بررسی کنید. ارسال به سراسر کشور و حضور فیزیکی در بازار جمهوری تهران نیز در دسترس است.
این محصول یک ماسفت سیلیکونی کانال N از نوع π-MOS II است که برای مبدل DC-DC پرسرعت و جریان‌بالا، درایو رله و درایو موتور کاربرد دارد.
پکیج EIAJ SC-67 با شناسه Toshiba 2-10R1B است. پایه 1 Gate، پایه 2 Drain و پایه 3 Source است.
این ماسفت کانال N با درایو گیت 4 V، پکیج EIAJ SC-67 و مشخصات سوئیچینگ و مقاومت روشن اعلام‌شده، برای کاربردهای مبدل، رله و موتور قابل بررسی است. برای خرید، پارت‌نامبر، پکیج و شرایط کاری مدار را تطبیق دهید و برای استعلام قیمت، موجودی یا دریافت پیش‌فاکتور با توکل الکترونیک در ارتباط باشید.
| Part Number | 2SK1118 |
|---|---|
| پکیج | TO-220 |
| Channel Type | N-Channel |
| مشخصات فنی | VDS: 600 V |
ماسفت 2SK1118
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.