کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
ماسفت IRFS820 یک ترانزیستور کانال N از خانواده MOSFET است که در پکیج TO-220F عرضه میشود. این قطعه برای مدارهای درایو موتور، مبدل DC-DC، سوئیچ قدرت و درایو سلونوئید در نظر گرفته شده است. هنگام انتخاب، تطبیق دقیق پارتنامبر، نوع کانال و پکیج با مدار اهمیت دارد.
پکیج TO-220F و آرایش پایهها باید پیش از نصب با طراحی برد بررسی شود. در این قطعه، Gate در پایه 1، Drain در پایه 2 و Source در پایه 3 قرار دارد. این اطلاعات برای سیمکشی، مونتاژ و جلوگیری از اتصال اشتباه پایهها اهمیت دارد.
ولتاژ شکست Drain-Source این ماسفت حداقل 500 V است. این مقدار با VGS=0 و ID=0.25 mA، در TC=25°C مگر آنکه خلاف آن مشخص شده باشد، بیان شده است. بنابراین ولتاژ شکست را نباید بدون توجه به شرایط آزمون، معادل ولتاژ کاری پیوسته مدار در نظر گرفت.
مقاومت Drain-Source در حالت روشن حداکثر 3 Ω است؛ این مشخصه در VGS=10 V و ID=1.3 A تعیین شده است. ولتاژ آستانه Gate نیز از 2.0 تا 4.0 V اعلام شده و شرایط آن VDS=VGS و ID=0.25 mA است. جریان Drain در حالت Gate خاموش حداکثر 250 µA بوده و در VDS=500 V و VGS=0 V مشخص شده است.
| پارامتر | مقدار یا وضعیت |
|---|---|
| نوع کانال | N-channel MOSFET |
| پکیج | TO-220F |
| ترتیب پایهها | 1: Gate، 2: Drain، 3: Source |
| ولتاژ شکست Drain-Source | حداقل 500 V، با VGS=0 و ID=0.25 mA |
| مقاومت روشن Drain-Source | حداکثر 3 Ω، با VGS=10 V و ID=1.3 A |
| ولتاژ آستانه Gate | 2.0 تا 4.0 V |
ترتیب پایههای پکیج TO-220F شامل Gate در پایه 1، Drain در پایه 2 و Source در پایه 3 است. پیش از لحیمکاری یا اتصال به مدار، جهت قرارگیری قطعه و شماره پایهها را با نقشه برد تطبیق دهید. این کار بهویژه هنگام جایگزینی قطعهای با ظاهر مشابه اهمیت دارد.
مقادیر 500 V برای Drain-Source، ±20 V برای Gate-Source و 2.0 A برای جریان Drain، همگی در گروه حداکثر مطلق قرار دارند و نباید بهعنوان مشخصه کار عادی یا مقدار پیشنهادی طراحی استفاده شوند. جریان Drain تکپالس نیز حداکثر 10 A است. توان تلفاتی کل حداکثر 30 W در TC=25°C و دمای پیوند مجاز حداکثر 150°C اعلام شده است.
مقاومت حرارتی پیوند تا کیس حداکثر 4.16 °C/W است. این مقدار باید همراه با شرایط واقعی نصب و دفع حرارت بررسی شود و بهتنهایی برای تعیین توان قابل استفاده مدار کافی نیست.
این قطعه برای درایو موتور، مبدل DC-DC، سوئیچ قدرت و درایو سلونوئید در نظر گرفته شده است. کانال N، پکیج TO-220F و آرایش پایهها از عوامل مهم انتخاب برای چنین مدارهایی هستند. در کاربردهای سوئیچینگ، مقدار VGS موجود در مدار را با شرایطی که مقاومت روشن در آن مشخص شده مقایسه کنید.
برای مقایسه با انواع ماسفت، فقط به عدد ولتاژ توجه نکنید؛ نوع کانال، پکیج، مقاومت روشن، شرایط تحریک Gate و وضعیت حرارتی نیز باید با نیاز مدار هماهنگ باشند.
برای خرید IRFS820، استعلام قیمت و موجودی روز، ثبت سفارش یا دریافت پیشفاکتور با توکل الکترونیک در ارتباط باشید. ضمانت اصالت کالا مطابق شرایط فروشگاه ارائه میشود.
این ماسفت یک ماسفت کانال N با پکیج TO-220F، ولتاژ شکست حداقل 500 V و مقاومت روشن حداکثر 3 Ω در شرایط اعلامشده است. این قطعه در مدارهای درایو موتور، مبدل DC-DC، سوئیچ قدرت و درایو سلونوئید کاربرد دارد. قبل از نصب، آرایش پایهها و محدودیتهای حداکثر مطلق را بررسی کنید.
برای دریافت قیمت روز، موجودی و راهنمایی پیش از خرید، مشخصات مدار و پارتنامبر موردنظر را با فروشگاه توکل الکترونیک در میان بگذارید.
این ماسفت یک ترانزیستور MOSFET کانال N است و در پکیج TO-220F عرضه میشود.
در پکیج TO-220F، پایه 1 Gate، پایه 2 Drain و پایه 3 Source است. پیش از نصب، این آرایش را با نقشه مدار تطبیق دهید.
| Part Number | IRFS820 |
|---|---|
| پکیج | TO-220F |
| Channel Type | N-Channel |
| مشخصات فنی | VDS: 500 V, ID: 2.0 A |
درمورد این محصول دیدگاه درج کنید.

ماسفت IRFS820

هنوز بررسیای ثبت نشده است.