پشتیبانی 24 ساعته
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
IRFD120 یک ماسفت قدرت سیلیکون‌گیت، تک‌کاناله و از نوع N-channel enhancement-mode است که توسط Vishay / Siliconix ارائه شده است. این قطعه برای مدارهایی مناسب است که در آن‌ها سوئیچ‌کردن توان و کنترل بار اهمیت دارد. نوع کانال، عملکرد enhancement-mode و پکیج از موارد مهم برای تطبیق با طراحی یا قطعه موجود هستند.
پکیج این مدل HEXDIP است. کاربردهای تعریف‌شده برای آن شامل رگولاتورهای سوئیچینگ، مبدل‌های سوئیچینگ، درایور موتور، درایور رله و درایور ترانزیستورهای بای‌پولار توان بالا میشود.
این ماسفت برای مدارهای سوئیچینگ و درایو بار در کاربردهای یادشده به کار می‌رود. هنگام انتخاب، باید ولتاژ مدار، جریان موردنیاز، روش تحریک گیت و شرایط حرارتی را در کنار مشخصات قطعه بررسی کرد.
مهم‌ترین مشخصات این قطعه برای مقایسه و انتخاب در جدول زیر آمده است. ولتاژ شکست drain-to-source حداقل 100 V است و این مقدار در شرایط آزمون مشخص‌شده، یعنی ID برابر 250 µA و VGS برابر 0 V، بیان شده است.
| پارامتر | مقدار |
|---|---|
| نوع قطعه | ماسفت قدرت N-channel enhancement-mode |
| پکیج | HEXDIP |
| ولتاژ شکست drain-to-source | حداقل 100 V؛ در ID = 250 µA و VGS = 0 V |
| مقاومت روشن drain-to-source | typ برابر 0.25 Ω؛ حداکثر 0.30 Ω |
| ولتاژ آستانه گیت | حداقل 2.0 V تا حداکثر 4.0 V |
| دمای کاری و ذخیره‌سازی | −55 تا 150 °C |
مقاومت روشن drain-to-source در شرایط ID برابر 0.6 A و VGS برابر 10 V و با آزمون پالسی مشخص شده است. ولتاژ آستانه نیز در شرایط VGS = VDS و ID برابر 250 µA اندازه‌گیری شده؛ بنابراین نباید آن را به‌تنهایی به‌عنوان ولتاژ روشن‌شدن کامل در نظر گرفت.
زمان تأخیر روشن‌شدن typ برابر 20 ns و حداکثر 40 ns است. زمان خیز typ برابر 35 ns و حداکثر 70 ns و زمان تأخیر خاموش‌شدن typ برابر 50 ns و حداکثر 100 ns اعلام شده است. بار کل گیت نیز typ برابر 11 nC و حداکثر 15 nC است. این مقادیر به شرایط آزمون وابسته‌اند و برای ارزیابی درایور گیت و عملکرد سوئیچینگ استفاده می‌شوند.
در بخش محدودیت‌های مطلق، حداکثر جریان drain پیوسته 1.3 A و حداکثر جریان پالسی 5.2 A است. این اعداد حد مجاز هستند، نه الزاماً جریان کاری عادی. حداکثر ولتاژ gate-to-source برابر ±20 V و حداکثر توان تلفاتی 1.0 W است؛ بنابراین شرایط حرارتی و نصب مناسب باید در طراحی لحاظ شود.
برای خرید ماسفت، ابتدا پارت‌نامبر IRFD120 و پکیج HEXDIP را با نیاز مدار خود تطبیق دهید. توکل الکترونیک امکان استعلام قیمت و موجودی روز، فروش تکی و تعدادی، خرید عمده و تأمین شرکتی و دریافت پیش‌فاکتور را فراهم می‌کند. این قطعه با ضمانت اصالت کالا عرضه میشود و ارسال به سراسر کشور انجام می‌گیرد.
پیش از سفارش، پارت‌نامبر و پکیج را به‌خصوص برای تعمیر یا جایگزینی در مدار بررسی کنید. برای دریافت قیمت روز، تعداد موردنیاز و وضعیت تأمین را اعلام کنید. توکل الکترونیک در بازار جمهوری تهران نیز حضور فیزیکی دارد.
این قطعه یک ماسفت قدرت سیلیکون‌گیت، تک‌کاناله و N-channel از نوع enhancement-mode است و در پکیج HEXDIP ارائه میشود.
حداکثر جریان drain پیوسته 1.3 A و حداکثر جریان پالسی 5.2 A است. این مقادیر در دسته محدودیت‌های مطلق قرار دارند و نباید بدون بررسی شرایط حرارتی به‌عنوان جریان کاری معمول استفاده شوند.
ولتاژ شکست drain-to-source حداقل 100 V است. مقاومت روشن drain-to-source در شرایط آزمون مشخص‌شده، typ برابر 0.25 Ω و حداکثر 0.30 Ω است.
IRFD120 یک ماسفت قدرت N-channel با پکیج HEXDIP، ولتاژ شکست حداقل 100 V و مشخصات سوئیچینگ مناسب برای رگولاتورها، مبدل‌ها و مدارهای درایور است. برای ثبت سفارش، پارت‌نامبر، تعداد و نیاز خود را اعلام کنید تا قیمت و موجودی روز بررسی و در صورت نیاز پیش‌فاکتور صادر شود. تطبیق پارت‌نامبر پیش از سفارش به انتخاب دقیق‌تر کمک می‌کند.
| Part Number | IRFD120 |
|---|---|
| پکیج | DIP |
| Channel Type | N-Channel |
| مشخصات فنی | VDS: 100 V, ID: 1.3 A |
ماسفت IRFD120
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.