کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
ماسفت IRF530 ساخت STMicroelectronics، یک ماسفت قدرت سیلیکونی از نوع N-channel enhancement-mode است. این قطعه برای مدارهایی مناسب است که در آنها کلیدزنی توان، کنترل بار و دقت در مشخصات درین، سورس و گیت اهمیت دارد.
این مدل با پکیج JEDEC TO-220AB عرضه میشود. هنگام انتخاب قطعه، پکیج و روش نصب را با footprint برد و فضای مکانیکی مدار تطبیق دهید. همچنین پیش از خرید، بررسی پارتنامبر و مشخصات پروژه به جلوگیری از انتخاب اشتباه کمک میکند.
– نوع کانال: N-channel enhancement mode – حداقل ولتاژ شکست درین به سورس: 100 V – مقاومت روشن درین به سورس: 0.14 Ω تیپیک و 0.16 Ω حداکثر – پکیج: TO-220AB – بار کل گیت: 18 nC تیپیک و 30 nC حداکثر
حداقل ولتاژ شکست درین به سورس این ماسفت 100 V است. این مقدار با VGS = 0 V و ID = 250 µA بهعنوان حداقل مشخصه الکتریکی بیان شده است. مقاومت روشن درین به سورس نیز در شرایط ID = 8.3 A و VGS = 10 V، مقدار 0.14 Ω بهصورت تیپیک و 0.16 Ω بهصورت حداکثری دارد.
ولتاژ آستانه گیت به سورس از 2 V حداقل تا 4.0 V حداکثر مشخص شده و شرایط آزمون آن VGS = VDS و ID = 250 µA است. این بازه فقط مشخصه آستانه را نشان میدهد و نباید بهتنهایی بهعنوان ولتاژ کامل راهاندازی گیت در نظر گرفته شود.
زمان تأخیر روشنشدن 12 ns بهصورت تیپیک و 15 ns حداکثر است. بار کل گیت نیز 18 nC تیپیک و 30 nC حداکثر اعلام شده است؛ این مقادیر با شرایط آزمون مشخص دیتاشیت معنا پیدا میکنند و برای مقایسه مدار درایو گیت کاربرد دارند.
| پارامتر | مقدار | شرایط آزمون یا توضیح |
|---|---|---|
| ولتاژ شکست درین به سورس | حداقل 100 V | VGS = 0 V، ID = 250 µA |
| مقاومت روشن درین به سورس | 0.14 Ω تیپیک، 0.16 Ω حداکثر | ID = 8.3 A، VGS = 10 V |
| ولتاژ آستانه گیت به سورس | 2 تا 4.0 V | حداقل تا حداکثر، VGS = VDS |
| زمان تأخیر روشنشدن | 12 ns تیپیک، 15 ns حداکثر | شرایط آزمون دیتاشیت |
| ولتاژ دیود سورس به درین | حداکثر 2.5 V | TJ = 25°C، ISD = 14 A، VGS = 0 V |
پکیج TO-220AB در انتخاب این قطعه باید با روش نصب و طراحی برد هماهنگ باشد. کاربردهای اعلامشده برای آن شامل رگولاتورهای سوئیچینگ، مبدلهای سوئیچینگ، درایور موتور، درایور رله و درایور ترانزیستورهای بایپولار توان بالا است.
در مقایسه انواع ماسفت، نوع کانال، ولتاژ شکست، مقاومت روشن، مشخصات گیت و کاربرد موردنظر را همزمان بررسی کنید. این کار کمک میکند انتخاب قطعه فقط بر اساس نام یا ظاهر پکیج انجام نشود.
برای استعلام قیمت و موجودی روز IRF530 میتوانید با توکل الکترونیک تماس بگیرید. این قطعه بهصورت تکی و تعدادی عرضه میشود و برای خرید عمده یا تأمین شرکتی، امکان دریافت پیشفاکتور وجود دارد. ارسال به سراسر کشور انجام میشود و امکان مراجعه حضوری در بازار جمهوری تهران نیز فراهم است.
این قطعه یک ماسفت قدرت سیلیکونی N-channel از نوع enhancement-mode است و برای کاربردهایی مانند رگولاتور و مبدل سوئیچینگ، درایور موتور، درایور رله و درایور ترانزیستورهای بایپولار توان بالا معرفی شده است.
پکیج این مدل JEDEC TO-220AB است. پیش از مونتاژ، ابعاد و روش نصب موردنیاز مدار را با این پکیج تطبیق دهید.
مقاومت روشن درین به سورس در شرایط ID = 8.3 A و VGS = 10 V، برابر با 0.14 Ω تیپیک و 0.16 Ω حداکثر است.
این ماسفت با کانال N، پکیج TO-220AB، حداقل ولتاژ شکست درین به سورس 100 V و مقاومت روشن حداکثر 0.16 Ω در شرایط آزمون اعلامشده، برای چند گروه از مدارهای سوئیچینگ و درایوری قابل بررسی است. برای بررسی موجودی، دریافت قیمت روز و ثبت سفارش با توکل الکترونیک در ارتباط باشید.
| Part Number | IRF530 |
|---|---|
| پکیج | TO-220AB |
| Channel Type | N-Channel |
| مشخصات فنی | VDS: 100 V, ID: 14 A |
درمورد این محصول دیدگاه درج کنید.

ماسفت IRF530

هنوز بررسیای ثبت نشده است.