پشتیبانی 24 ساعته
کلیه سفارشات بصورت سریع و اکسپرس با تیپاکس در اولین فرصت برای مشتری ارسال میشود.
7 روز هفته و 24 ساعت شبانه روز پاسخگوی شما هستیم.
میتوانید مبلغ سفارش خود را در مجموعه توکل الکترونیک به هم صورت حضوری و هم آنلاین پرداخت نمایید.
تمامی محصولات در توکل الکترونیک اورجینال و نو میباشند.
2SK1257 یک ماسفت قدرت سیلیکونی کانال N از Panasonic Semiconductor است که برای مدارهای سوئیچینگ و کنترل توان طراحی شده است. این قطعه در پکیج TO-220 full pack نوع A عرضه میشود و برای مبدل‌های DC-DC، رله‌های بدون کنتاکت، راه‌انداز سلونوئید و درایو موتور کاربرد دارد.
برای سفارش، پارت‌نامبر، نوع کانال، شرایط تحریک گیت و نیاز واقعی مدار را با قطعه موردنظر خود تطبیق دهید.
این قطعه از نوع Silicon N-channel Power F-MOS FET است. مقاومت روشن‌شدن در شرایط VGS = 10 V و ID = 20 A به‌صورت تیپیکال 0.024 Ω اعلام شده است. همچنین در شرایط VGS = 4 V و ID = 10 A، مقاومت روشن‌شدن تیپیکال 0.033 Ω دارد؛ بنابراین شرایط تحریک گیت در طراحی و انتخاب درایور اهمیت دارد.
| پارامتر | مقدار یا توضیح |
|---|---|
| نوع قطعه | ماسفت قدرت سیلیکونی کانال N |
| پکیج | TO-220 full pack نوع A |
| مقاومت روشن‌شدن تیپیکال | 0.024 Ω در VGS = 10 V و ID = 20 A |
| مقاومت روشن‌شدن تیپیکال | 0.033 Ω در VGS = 4 V و ID = 10 A |
| پایه‌ها | 1: Gate، 2: Drain، 3: Source |
ترتیب پایه‌های این ماسفت در پکیج اعلام‌شده به این صورت است: پایه 1 گیت، پایه 2 درین و پایه 3 سورس. هنگام جایگزینی یا مونتاژ، تطبیق ترتیب پایه‌ها با برد و قطعه قبلی ضروری است؛ شباهت ظاهری پکیج به‌تنهایی برای نصب کافی نیست.
2SK1257 برای مبدل‌های DC-DC، رله‌های بدون کنتاکت، درایو سلونوئید و درایو موتور در نظر گرفته شده است. این کاربردها معمولاً به کنترل جریان و قطع‌و‌وصل توان نیاز دارند؛ بااین‌حال انتخاب نهایی باید با توجه به شرایط واقعی مدار، روش تحریک گیت و مشخصات بار انجام شود.
زمان‌های سوئیچینگ تیپیکال این قطعه شامل 200 ns برای turn-on، 320 ns برای fall time و 690 ns برای turn-off delay است. این مقادیر تحت شرایط VGS = 10 V، ID = 20 A، VDD = 30 V و RL = 1.5 Ω بیان شده‌اند و نباید بدون توجه به شرایط آزمون به هر مدار دیگری تعمیم داده شوند.
در VDS = 10 V، VGS = 0 و فرکانس 1 MHz، ظرفیت ورودی Ciss برابر 3200 pF، ظرفیت خروجی Coss برابر 1400 pF و ظرفیت انتقال معکوس Crss برابر 600 pF است. این اطلاعات برای بررسی درایور گیت و رفتار کلیدزنی در طراحی‌های فرکانس‌بالا کاربرد دارد.
ولتاژ آستانه گیت در شرایط VDS = 10 V و ID = 1 mA، حداقل 1 V و حداکثر 2.5 V است. همچنین ادمیتانس انتقال مستقیم در VGS = 10 V و ID = 20 A، حداقل 13 S و مقدار تیپیکال آن 22 S اعلام شده است.
ولتاژ Drain-Source در بخش Absolute Maximum برابر 60 V و ولتاژ Gate-Source در همین بخش برابر ±20 V است. این اعداد حد مجاز مطلق هستند، نه ولتاژ کاری پیشنهادی مدار.
حداکثر جریان درین نیز به شرایط مشخص وابسته است: 20 A با درایو 4 V، 40 A به‌صورت DC و 80 A به‌صورت پالسی، همگی در شرایط Absolute Maximum و در TC = 25°C. توان تلفاتی مطلق 45 W در TC = 25°C و 2.0 W در TA = 25°C اعلام شده است. حداکثر دمای کانال 150°C و محدوده دمای نگهداری −55 تا +150°C است.
برای استعلام قیمت و موجودی روز، ثبت سفارش یا دریافت پیش‌فاکتور با توکل الکترونیک در ارتباط باشید. ضمانت اصالت کالا مطابق شرایط فروشگاه ارائه میشود.
این قطعه یک ماسفت قدرت سیلیکونی کانال N از نوع F-MOS FET است و در پکیج TO-220 full pack type A ارائه میشود.
پایه 1 گیت، پایه 2 درین و پایه 3 سورس است. پیش از نصب، ترتیب پایه‌ها را با طراحی برد خود تطبیق دهید.
2SK1257 برای مدارهای قدرت و سوئیچینگ با نیاز به ماسفت کانال N و پکیج TO-220 full pack مناسب است. مقاومت روشن‌شدن، شرایط تحریک گیت، ترتیب پایه‌ها و حدود مجاز را پیش از استفاده با مدار تطبیق دهید. برای خرید ماسفت، بررسی پارت‌نامبر قبل از سفارش و استعلام قیمت و موجودی روز را از توکل الکترونیک انجام دهید.
| Part Number | 2SK1257 |
|---|---|
| پکیج | TO-220 full pack |
| Channel Type | N-Channel |
| مشخصات فنی | VDS: 60 V |
ماسفت 2SK1257
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.